[實用新型]硅片拋光盤

有效

• 申請號: 201020554467.8
• 申請日: 2010-09-24
• 公開（公告）號: CN201881282U
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 嚴研;儲小飛
• 申請（專利權）人: 江蘇東光微電子股份有限公司
• 主分類號: B24D13/14
• 分類號: B24D13/14
• 代理公司: 宜興市天宇知識產權事務所 32208
• 代理人: 史建群;蔡鳳苞

技術領域

實用新型是關于對電子材料例如硅片拋光盤的改進，尤其涉及一種能排出多余粘結蠟、粘結厚度薄而厚度均平整的拋光盤。

背景技術

硅片拋光工序硅片固定大都采用涂蠟粘片法，通過熔蠟凝固粘結將需拋光硅片固定在拋光盤表面。隨著對拋光硅片質量要求提高，對拋光硅片平整度要求越來越高例如要求小于4-8μm。客觀上硅片粘結要求同拋光盤完全接觸，由于硅片直徑較大例如φ100mm，而熔蠟的流動性又較差，導致硅片底部多余的熔蠟無法排除，硅片與拋光盤之間存在一層較厚且蠟厚度不均勻的粘結蠟，使得拋光硅片在拋光盤上不平整，拋出硅片平整度只能保持在8-15μm。因此現有拋光盤涂蠟粘片已不能滿足高平整度要求，由此也使得所做芯片電壓一致性變差。

中國專利CN87202507硅片無蠟拋光墊，采用由七層樹脂材料組成復合結構拋光墊，硅片通過水粘貼及孔負壓吸附固定，達到無蠟拋光。不僅拋光墊制作復雜，使得拋光盤成本較高，而且樹脂材料為有壓縮性柔性材料，雖然對各層厚度提出限制為μm級，但拋光時受壓仍會產生微量變形，因此其平整度仍然相對較低，報導總厚度變化達6μm。

上述不足仍有值得改進的地方。

實用新型內容

實用新型目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種能夠自動排出多余粘結熔蠟，確保粘結硅片高平整的硅片拋光盤。

實用新型目的實現，主要改進是在固定硅片的拋光盤至少粘片部位開設排蠟通孔，使粘結硅片多余的熔蠟通過排蠟孔排出，以此提高粘結硅片的平整度，從而克服現有技術的不足，實現實用新型目的。具體說，實用新型硅片拋光盤，包括固定硅片的拋光盤，其特征在于拋光盤至少粘貼硅片部位厚度方向有多個孔徑不大于2mm的排蠟通孔。

實用新型所說排蠟通孔，主要作用是供流動性差的粘結熔蠟排出，從而提高粘貼硅片的平整度，降低因粘結熔蠟流動性差造成的不平整。其通孔截面形狀無特別限定，但從簡便加工角度，通常采用圓孔。孔徑不大于2mm，主要是從避免或減少拋光硅片表面因孔徑過大易造成硅片出現凹坑影響平整度角度考慮，為試驗所得，孔徑過大則薄的拋光片容易在排蠟通孔處出現凹坑，孔徑更好為1mm左右，既能通暢排蠟，又避免了硅片出現凹坑，使硅片有高的平整度。實用新型所說1mm左右，是一個相對概念，并非指精確值，它包括在孔加工過程中不可避免的誤差，并且由排蠟孔的原理，其精度并不會對本專利技術方案產生實質影響。

此外，排蠟孔更好為軸向(拋光盤厚度方向)呈上小下大的喇叭形孔，更有利于排蠟通暢，而又不會影響粘結硅片的平整度。對于喇叭形孔，所說孔徑是指粘結面孔徑。

拋光盤有通孔區域，一種較好是背面呈內凹，其內凹既可用于存放排出蠟，同時也使得排蠟孔長度變小，也方便了排蠟。

實用新型硅片拋光盤，相對于現有技術，由于在拋光盤至少粘片部位開設有排蠟通孔，使得在蠟熔融粘片時，多余的蠟得以通過通孔排出，拋光盤底層蠟不會太厚，同時自流也導致粘結蠟層均勻平整，從而保證了固定粘片的高度平整，因此極大提高了研磨拋光硅片的平整度，不平整度可以做到不大于4-8μm，滿足了對拋光硅片高平整度要求，由此也提高了所做芯片的電壓一致性，簡便解決了因蠟流動性差及蠟層厚度不均勻導致的硅片不平整的問題。

以下結合一個示例性實施例，示例性說明及幫助進一步理解實用新型實質，但實施例具體細節僅是為了說明實用新型，并不代表實用新型構思下全部技術方案，因此不應理解為對實用新型總的技術方案限定，一些在技術人員看來，不偏離實用新型構思的非實質性增加和/或改動，例如以具有相同或相似技術效果的技術特征簡單改變或替換，均屬實用新型保護范圍。

附圖說明

圖1為一種粘結硅片拋光用硅片拋光盤俯視圖。

圖2為圖1剖視結構示意圖。

具體實施方式

實施例：參見附圖，在現有通常使用的圓形拋光盤1，粘貼硅片位置、接近硅片尺寸區域加工有眾多均勻分布、表面孔直徑為1mm左右的上小下大喇叭形(拋光盤厚度)通孔2，通孔區域背面有凹坑3。粘片同現有技術，先將拋光盤放于熱板上加熱至蠟熔化溫度以上，再將蠟均勻涂于拋光盤表面。然后將需研磨拋光硅片放在涂蠟位置，將拋光盤放在壓片機上，對硅片施加一定壓力使多余的蠟通過硅片底部的排蠟孔排至拋光盤背面凹槽內，冷卻后將拋光盤拿出清洗表面多余的蠟。

對于本領域技術人員來說，在本專利構思及具體實施例啟示下，能夠從本專利公開內容及常識直接導出或聯想到的一些變形，本領域普通技術人員將意識到也可采用其他方法，或現有技術中常用公知技術的替代，以及特征間的相互不同組合，例如拋光盤自身形狀的改變，拋光盤全面積開孔，等等的非實質性改動，同樣可以被應用，都能實現本專利描述功能和效果，不再一一舉例展開細說，均屬于本專利保護范圍。