[實用新型]硅片轉速檢知裝置及帶硅片轉速檢知裝置的硅片清洗裝置無效
| 申請號: | 201020551086.4 | 申請日: | 2010-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN201815947U | 公開(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發明(設計)人: | 牛曉翔 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/00 | 分類號: | B24B37/00;B08B1/00 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 張驥 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 轉速 裝置 清洗 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種化學機械拋光設備,具體涉及一種硅片轉速檢知裝置。本實用新型還涉及一種帶硅片轉速檢知裝置的硅片清洗裝置。
背景技術
化學機械拋光(Chemical?mechanical?polisher,CMP)工藝方法,是用化學藥液研磨硅片的正面,研磨完成之后需要對硅片的表面進行清洗,以保證芯片的成品率和下一道工藝程序的順利開展。在硅片后洗凈過程中,采用刷子清洗是一個很重要的步驟,
現有的硅片清洗裝置如圖1所示,硅片1呈垂直狀態,由三個固定的滾軸3承載于硅片1的底部,硅片1的兩側分別設有刷子2。通過滾軸3的轉動帶動硅片1的旋轉,使兩個刷子2夾緊硅片1,對硅片表面進行清洗。
這種清洗方式存在的缺點是:無法實時監測硅片的旋轉狀況,一旦出現硅片的旋轉時斷時續或不轉的情況,刷子的清洗效果就會大大降低,造成顆粒的殘留,進而影響到芯片的成品率。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種硅片轉速檢知裝置,它可以在硅片清洗過程中對硅片的旋轉狀況進行實時監測。
為解決上述技術問題,本實用新型硅片轉速檢知裝置的技術解決方案為:
包括設置于殼體內的旋轉軸、遮擋片、光電傳感器、控制器,旋轉軸的一端伸出殼體,旋轉軸的另一端固定設置有遮擋片;遮擋片的一側設有光電傳感器;光電傳感器電連接控制器。
所述控制器為可編程邏輯控制器。
所述旋轉軸通過軸承與殼體活動連接。
所述遮擋片的長度為10mm。
本實用新型還提供一種帶硅片轉速檢知裝置的硅片清洗裝置,其技術解決方案為:
包括刷子、滾軸、硅片轉速檢知裝置,滾軸設置于硅片的底部,刷子設置于硅片的兩側;硅片轉速檢知裝置的旋轉軸一端與滾軸固定連接,硅片轉速檢知裝置的殼體通過支架固定于硅片下方。
所述支架的底部設有彈簧。
本實用新型可以達到的技術效果是:
本實用新型用于化學機械拋光工藝的后清洗工序,能夠在硅片清洗過程中對硅片的旋轉狀況進行實時監測,當實際轉速與工藝設定值誤差超過10%及時報警,能夠降低硅片表面顆粒殘留的可能性,從而提高成品率。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明:
圖1是現有技術硅片清洗裝置的結構示意圖;
圖2是本實用新型帶硅片轉速檢知裝置的硅片清洗裝置的結構示意圖;
圖3是圖2的側視圖。
圖中附圖標記說明:
1為硅片,???????????2為刷子,
3為滾軸,???????????4為殼體,
5為旋轉軸,?????????6為遮擋片,
7為光電傳感器,?????8為可編程邏輯控制器,
9為支架,??????????10為硅片轉速檢知裝置。
具體實施方式
如圖3所示,本實用新型硅片轉速檢知裝置10,包括設置于殼體4內的旋轉軸5、遮擋片6、光電傳感器7、可編程邏輯控制器8,旋轉軸5的一端伸出殼體4,用于連接硅片清洗裝置的滾軸3,旋轉軸5的另一端固定設置有遮擋片6;遮擋片6的一側設有光電傳感器7,光電傳感器7具有發射和接收激光的功能;光電傳感器7電連接可編程邏輯控制器8;光電傳感器7與遮擋片6為非接觸式連接。
旋轉軸5通過軸承與殼體4活動連接;
遮擋片6的長度為10mm。
如圖2、圖3所示,本實用新型帶硅片轉速檢知裝置的硅片清洗裝置,包括刷子2、滾軸3、硅片轉速檢知裝置10,滾軸3設置于硅片1的底部,刷子2設置于硅片1的兩側;硅片轉速檢知裝置的旋轉軸5一端與滾軸3固定連接,使得旋轉軸5與滾軸3能夠保持同步旋轉;硅片轉速檢知裝置的殼體4通過支架9固定于硅片1下方。
支架9的底部設有彈簧,能夠保證硅片轉速檢知裝置10與硅片1有良好的接觸,使滾軸3能夠隨著硅片1的旋轉而從動。
本實用新型的工作原理是:
當硅片1旋轉時,滾軸3隨著硅片1轉動;滾軸3帶動旋轉軸5及其上的遮擋片6同步旋轉,滾軸3每旋轉一圈,旋轉軸5上的遮擋片6會觸發光電傳感器7并輸出一個脈沖信號,可編程邏輯控制器8根據光電傳感器7輸出的脈沖信號記數一次,定時記錄30秒累積的脈沖數,根據滾軸3旋轉10個脈沖相當于硅片1旋轉一圈,就能夠換算出硅片1的實際轉速;可編程邏輯控制器8將硅片1的實際轉速與工藝參數設定的硅片轉速相比較,若誤差超過10%則報警,從而實現對硅片轉速的實時監測。
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