[實用新型]太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020546870.6
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN201859125U
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李福榮;鄧超明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海星納電子科技有限公司
• 主分類號: G01N21/892
• 分類號: G01N21/892;G01B11/04;G01B11/22
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種太陽能半導體晶片檢測系統(tǒng)，尤其涉及一次性操作完成檢測晶片兩面線痕的數(shù)量，寬度，深度，線痕位置的一種太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)。

背景技術(shù)

太陽能晶片由于硅錠，切割工藝等原因，產(chǎn)生了晶片不同程度的線痕。太陽能晶片制造企業(yè)需要對切割工藝進行一種監(jiān)控，以保證最終出廠的晶片能滿足客戶的技術(shù)指標。目前，太陽能晶片制造企業(yè)沒有一種能夠檢測出線痕的設(shè)備。現(xiàn)有技術(shù)中，主要是通過人為的目視，來檢測線痕的有無及數(shù)量，再通過一些接觸式的表面粗燥儀，多次測量來檢測晶片線痕最大深度極差值(Ry)。

然而，人為的目測，不可能做到很好的重復性，就可能出現(xiàn)漏測，漏檢。而目前測量線痕深度值，一般用接觸式的表面粗燥度測試儀來在垂直線痕5mm左右范圍內(nèi)測量該線痕的極差值Ry。具體來說，先是人為判斷一下線痕，再用表面粗燥儀垂直于線痕測量出該線痕的極差值Ry。如在晶片同一面上出現(xiàn)多條線痕時，就必須多次用粗燥儀測量，計算出最大處的Ry值。因粗燥儀本身的原因，無法測量邊緣線痕的深度。表面粗燥儀多次測量，不僅效率低，而且由于是接觸式的，對晶片表面損傷很大。

因此，一種能夠僅需一次操作就可以完成對晶片上、下表面線痕的檢測，顯示出上、下表面線痕數(shù)量，線痕深度，線痕寬度，線痕位置的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)就成為市場需求的必然。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其僅需一次無接觸式操作就可以完成上、下兩面的線痕有無、線痕數(shù)量、線痕深度、線痕寬度、線痕在晶片位置的檢測。

本實用新型為實現(xiàn)上述目的而采用的技術(shù)方案如下：一種太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其中，包括：

自動傳送模塊，用于傳輸太陽能晶片，其包括電機驅(qū)動電路，主動輪，從動輪，同步帶，其中，電機驅(qū)動電路連接至主動輪，同步帶設(shè)置在主動輪和從動輪上；

測量模塊，其包括第一探頭，第二探頭，光電傳感器和探頭移動裝置，其中，第一探頭設(shè)置于同步帶的上方，用于測量太陽能晶片上表面到第一探頭的第一距離，第二探頭設(shè)置于同步帶的下方，用于測量太陽能晶片下表面到第二探頭的第二距離，光電傳感器，用于探測太陽能晶片的位置，探頭移動裝置，用于移動第一探頭和第二探頭以改變相對于太陽能晶片表面的位置；

信號處理模塊，包括第一信號處理單元和第二信號處理單元，分別用于對第一探頭和第二探頭檢測的信號進行放大和濾波處理，對光電傳感器檢測的信號進行電壓轉(zhuǎn)換；

控制模塊，包括模數(shù)轉(zhuǎn)換單元，通訊單元，計算及數(shù)據(jù)處理單元，用于對整個系統(tǒng)操作進行控制；

其中，測量模塊連接至自動傳送模塊和信號處理模塊，控制模塊又分別連接至自動傳送模塊和信號處理模塊。

如上述的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其中，所述第一探頭和第二探頭均為激光探頭。

如上述的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其中，所述第一探頭和第二探頭均為無接觸式位移探頭。

如上述的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其中，所述探頭移動裝置由連接支架，步進電機和兩根絲桿組成，其中，步進電機與連接支架相連，兩根絲桿分別置于連接支架的兩端。

如上述的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)，其中，所述控制模塊連接有顯示器，用于同時顯示晶片上、下表面線痕數(shù)量，線痕寬度，線痕深度極差值，及線痕在晶片的具體位置。

本實用新型由于采用以上技術(shù)方案，使之與跟現(xiàn)有技術(shù)相比，可以通過一步操作，就可以得到太陽能晶片上、下表面線痕的數(shù)量，線痕的寬度，線痕深度的極差值Ry。本實用新型為自動無接觸式檢測，對晶片的無任何損傷。

附圖說明

圖1是本實用新型中太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本實用新型中太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)的實際測量流程圖；

圖3是本實用新型測量模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實用新型檢測晶片表面線痕的示意圖。

具體實施方式

為讓本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能詳細易懂，以下結(jié)合附圖對實用新型的具體實施方式作一說明。

圖1是本實用新型的太陽能晶片無接觸式表面線痕自動檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。本系統(tǒng)適用于測量太陽能級半導體晶片表面線痕的深度、線痕的寬度、線痕數(shù)量以及線痕在晶片表面的具體位置。通過下面的進一步描述，我們將知道，本系統(tǒng)是怎么通過一步操作就可實現(xiàn)對晶片表面線痕參數(shù)的檢測。