[實用新型]共陰極雙二極管的內部封裝結構

無效

• 申請號: 201020542876.6
• 申請日: 2010-09-26
• 公開（公告）號: CN201829495U
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 李勇昌;周潘衡;彭順剛;蔣振榮;鄒鋒;彭志容
• 申請（專利權）人: 桂林斯壯微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.共陰極雙二極管的內部封裝結構，包括管芯(1)和引線框架(2)；所述引線框架(2)包含有3個相互絕緣的引出電極，即基極、集電極和發射極；其特征在于：所述管芯(1)由2個相互連接成一體的二極管芯片(1-1)所構成；這2個二極管芯片(1-1)的陰極均處于管芯(1)的背面，并同時覆貼在引線框架(2)的集電極上；而2個二極管芯片(1-1)的陽極則處于管芯(1)的正面，其中1個二極管芯片(1-1)的陽極通過內部導線(3)與引線框架(2)的基極相連，另1個二極管芯片(1-1)的陽極則通過內部導線(3)與引線框架(2)的發射極相連。

2.根據權利要求1所述的共陰極雙二極管的內部封裝結構，其特征在于：連接在二極管芯片(1-1)的陽極與引線框架(2)的基極之間的內部導線(3)的線徑與連接在二極管芯片(1-1)的陽極與引線框架(2)的發射極之間的內部導線(3)的線徑相同。

3.根據權利要求1或2所述的共陰極雙二極管的內部封裝結構，其特征在于：每條內部導線(3)的線徑介于17～20um之間。

4.根據權利要求1所述的共陰極雙二極管的內部封裝結構，其特征在于：位于同一管芯(1)內的2個二極管芯片(1-1)的陽極之間通過二氧化硅絕緣層相分隔。

5.根據權利要求4所述的共陰極雙二極管的內部封裝結構，其特征在于：2個二極管芯片(1-1)之間的距離介于50～100um之間。