[實(shí)用新型]大氣傳輸單元及具有該大氣傳輸單元的晶片傳輸系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020538674.4
• 申請(qǐng)日: 2010-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN201812803U
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武曄;魏曉;夏威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張?zhí)焓?陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種可有效減少顆粒污染的大氣傳輸單元以及具有該大氣傳輸單元的晶片傳輸系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在諸如刻蝕、物理氣相沉積等的半導(dǎo)體制程工藝中，對(duì)于工藝腔室的潔凈度和真空度的要求非常高，所以需要借助一套密閉性和潔凈度高的晶片傳輸系統(tǒng)來(lái)完成晶片或襯底從大氣環(huán)境到工藝腔室的傳輸過(guò)程。圖1是一種常用晶片傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1中所采用的大氣傳輸單元的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)一并參考圖1和圖2，其中的晶片傳輸系統(tǒng)包括大氣傳輸系統(tǒng)和真空傳輸系統(tǒng)兩部分。其中，大氣傳輸系統(tǒng)具體包括前端開啟裝置1、大氣傳輸單元2、設(shè)置于大氣傳輸單元2中的晶片位置校準(zhǔn)器21以及大氣機(jī)械手22；真空傳輸系統(tǒng)具體包括傳輸腔室4以及設(shè)置在傳輸腔室4內(nèi)的真空機(jī)械手(圖1和圖2中均未示出)。上述真空傳輸系統(tǒng)和大氣傳輸系統(tǒng)通過(guò)負(fù)載鎖閉器3連接并過(guò)渡。

實(shí)際應(yīng)用中，晶片傳輸首先是在大氣傳輸系統(tǒng)中進(jìn)行的，前端開啟裝置1開啟晶片盒(圖1和圖2中均未示出)，大氣機(jī)械手22從晶片盒中取出一片晶片6，再把晶片6傳輸?shù)骄恢眯?zhǔn)器21上，并通過(guò)晶片位置校準(zhǔn)器21將晶片6在大氣機(jī)械手22上的位置進(jìn)行校準(zhǔn)，待連接負(fù)載鎖閉器3和大氣傳輸系統(tǒng)的閥門打開后，大氣機(jī)械手22攜帶晶片6伸到負(fù)載鎖閉器3中，從而使晶片6可經(jīng)由該負(fù)載鎖閉器3進(jìn)入真空傳輸系統(tǒng)；然后大氣機(jī)械手22回縮至大氣傳輸單元2，同時(shí)將連接負(fù)載鎖閉器3和大氣傳輸單元2的閥門關(guān)閉；接著傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將位于負(fù)載鎖閉器3中的晶片6取出并送至反應(yīng)腔室5中以進(jìn)行相應(yīng)的處理工藝。待工藝完成后，再按照上述過(guò)程的逆過(guò)程將晶片6傳出。如上所述，在晶片6傳輸過(guò)程中存在各種機(jī)械運(yùn)動(dòng)并伴有輕微的碰撞和摩擦，因此將不可避免地產(chǎn)生一些微小顆粒，這些微小顆粒可能會(huì)附著到晶片6的表面，這對(duì)晶片6的后續(xù)工藝將產(chǎn)生不利影響，使最終產(chǎn)品存在缺陷，從而影響了產(chǎn)品的良率。

請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2，大氣傳輸單元2是個(gè)密閉環(huán)境，也叫微環(huán)境，為了確保這個(gè)微環(huán)境不受外界環(huán)境的污染并使微環(huán)境中產(chǎn)生的微小顆粒能被迅速有效地排出微環(huán)境之外，通常在大氣傳輸單元2的頂部設(shè)置風(fēng)扇過(guò)濾器23，同時(shí)在大氣傳輸單元2的底部設(shè)置出風(fēng)口26。如圖2所示，位于大氣傳輸單元2頂部的風(fēng)扇過(guò)濾器23首先對(duì)來(lái)自大氣傳輸單元2外部的氣體進(jìn)行過(guò)濾以去除微塵等的細(xì)小顆粒，然后使進(jìn)入大氣傳輸單元2內(nèi)的氣體形成自上而下的均勻氣流(氣體流速通常為0.4-08m/s)，該自上而下的均勻氣流使微環(huán)境產(chǎn)生一個(gè)正壓(稍大于大氣壓)，在該正壓的作用下，大氣傳輸單元2內(nèi)所產(chǎn)生的微小顆粒從大氣傳輸單元2底部的出風(fēng)口26排出(如圖中箭頭所示)，由此可減少大氣傳輸單元2內(nèi)微小顆粒對(duì)晶片所產(chǎn)生的污染。為了便于說(shuō)明，在下文中將上述經(jīng)由風(fēng)扇過(guò)濾器23而進(jìn)入大氣傳輸單元2內(nèi)、并對(duì)其內(nèi)所產(chǎn)生微小顆粒污染進(jìn)行吹掃清潔的氣體稱為吹掃氣體。

然而，在圖2所示的大氣傳輸單元2中，晶片6由大氣機(jī)械手22水平傳送，因此由風(fēng)扇過(guò)濾器23產(chǎn)生的自上而下的穩(wěn)定氣流在水平傳送的晶片6表面遇到阻擋必然發(fā)生發(fā)散(如圖2中的箭頭所示)，發(fā)散后的氣流對(duì)微小微粒的清除能力必然減弱，從而使吹掃氣體的吹掃能力降低。另外，來(lái)自風(fēng)扇過(guò)濾器23的吹掃氣體在大氣傳輸單元2內(nèi)自上而下地流動(dòng)，當(dāng)晶片6被水平傳送過(guò)程到風(fēng)扇過(guò)濾器23的正下方時(shí)，來(lái)自大氣中夾雜在吹掃氣體內(nèi)的微小顆粒很容易沉積在晶片6的表面，造成晶片6的污染，這同樣對(duì)后續(xù)工藝造成不利影響，從而影響產(chǎn)品的良率。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種大氣傳輸單元，其能夠有效地吹掃晶片表面附著的顆粒，而且可以避免夾雜在氣體中的顆粒沉積在晶片表面。

基于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型還提供一種應(yīng)用上述大氣傳輸單元的晶片傳輸系統(tǒng)，其可以提高進(jìn)入反應(yīng)腔室的晶片的潔凈度，從而提高產(chǎn)品良率。

為此，本實(shí)用新型提供了一種大氣傳輸單元，包括用于水平傳送晶片的大氣機(jī)械手以及用于對(duì)放置在所述大氣機(jī)械手上的晶片的位置進(jìn)行校準(zhǔn)的晶片位置校準(zhǔn)器，還包括第一風(fēng)扇過(guò)濾器和出風(fēng)口；所述第一風(fēng)扇過(guò)濾器靠近所述晶片位置校準(zhǔn)器而設(shè)置于所述大氣傳輸單元的側(cè)壁的上部，用于導(dǎo)入大氣傳輸單元外部的對(duì)晶片表面進(jìn)行水平吹掃的氣體；且所述出風(fēng)口設(shè)置于所述大氣傳輸單元的底部，用于導(dǎo)出吹掃后攜帶有被吹掃掉顆粒的氣體。

其中，所述出風(fēng)口遠(yuǎn)離所述晶片位置校準(zhǔn)器設(shè)置。

其中，所述第一風(fēng)扇過(guò)濾器設(shè)置在所述大氣傳輸單元側(cè)壁高度的1/2以上，所述第一風(fēng)扇過(guò)濾器自身高度為所述大氣傳輸單元高度的1/3～1/2。