[實用新型]大氣傳輸單元及具有該大氣傳輸單元的晶片傳輸系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020538674.4 | 申請日: | 2010-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN201812803U | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 武曄;魏曉;夏威 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 張?zhí)焓?陳源 |
| 地址: | 100015 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大氣 傳輸 單元 具有 晶片 系統(tǒng) | ||
1.一種大氣傳輸單元,包括用于水平傳送晶片的大氣機械手以及用于對放置在所述大氣機械手上的晶片的位置進行校準(zhǔn)的晶片位置校準(zhǔn)器,其特征在于,還包括第一風(fēng)扇過濾器和出風(fēng)口;
所述第一風(fēng)扇過濾器靠近所述晶片位置校準(zhǔn)器而設(shè)置在所述大氣傳輸單元的側(cè)壁的上部,用于導(dǎo)入大氣傳輸單元外部的對晶片表面進行水平吹掃的氣體;
且所述出風(fēng)口設(shè)置在所述大氣傳輸單元的底部,用于導(dǎo)出吹掃后攜帶有被吹掃掉顆粒的氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述出風(fēng)口遠離所述晶片位置校準(zhǔn)器設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述第一風(fēng)扇過濾器設(shè)置在所述大氣傳輸單元側(cè)壁高度的1/2以上。
4.如權(quán)利要求1所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述第一風(fēng)扇過濾器自身高度為所述大氣傳輸單元高度的1/3~1/2。
5.如權(quán)利要求1所述的大氣傳輸單元,其特征在于,還包括第二風(fēng)扇過濾器,
所述第二風(fēng)扇過濾器與所述第一風(fēng)扇過濾器相對地設(shè)置在所述大氣傳輸單元的側(cè)壁的上部,用于與所述第一風(fēng)扇過濾器同時導(dǎo)入大氣傳輸單元外部的對晶片表面進行水平吹掃的氣體;
所述出風(fēng)口設(shè)置在所述大氣傳輸單元底部的中部位置。
6.如權(quán)利要求5所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述出風(fēng)口的中心與所述大氣傳輸單元底部的中心重合。
7.如權(quán)利要求5所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述第二風(fēng)扇過濾器設(shè)置在所述大氣傳輸單元側(cè)壁高度的1/2以上。
8.如權(quán)利要求5所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述第二風(fēng)扇過濾器自身高度為所述大氣傳輸單元高度的1/3~1/2。
9.如權(quán)利要求1-8中任意一項所述的大氣傳輸單元,其特征在于,所述出風(fēng)口的開口直徑為所述大氣傳輸單元底部長度的1/3~1/2。
10.一種晶片傳輸系統(tǒng),包括大氣傳輸單元、傳輸腔室以及與傳輸腔室相連的至少一個反應(yīng)腔室,所述大氣傳輸單元通過負(fù)載鎖閉器與所述傳輸腔室相連接,其特征在于,所述大氣傳輸單元采用權(quán)利要求1-9中任意一項所述的大氣傳輸單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





