[實(shí)用新型]電容封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020535000.9
• 申請(qǐng)日: 2010-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201804711U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鍾宇鵬;陳恩明;邱承賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 智威科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G2/10
• 分類號(hào): H01G2/10
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基板單元，其具有至少一頂層基板及至少一底層基板；

一絕緣單元，其具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一底層基板之間的絕緣層；以及

一電容單元，其具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一絕緣層所包覆的電容元件。

2.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板、上述至少一絕緣層及上述至少一底層基板由上而下依序堆疊在一起。

3.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板的上表面具有至少兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊，上述至少一頂層基板的下表面具有至少一頂層導(dǎo)電軌跡，上述至少一底層基板的上表面具有至少一底層導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板的下表面具有至少兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊。

4.如權(quán)利要求3所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一電容元件電性連接于上述至少一頂層導(dǎo)電軌跡與上述至少一底層導(dǎo)電軌跡之間，且每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每一個(gè)底層導(dǎo)電焊墊之間成形一用以連接每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每一個(gè)相對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊的導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求3所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板的側(cè)邊具有至少兩個(gè)第一半穿孔，上述至少一絕緣層的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè)第一半穿孔的第二半穿孔，且上述至少一底層基板的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè)第二半穿孔的第三半穿孔；上述至少一頂層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第一半穿孔的內(nèi)表面上的第一導(dǎo)電層，上述至少一絕緣層具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第二半穿孔的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，且上述至少一底層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第三半穿孔的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。

6.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一電容元件具有一向外延伸且電性接觸于其中一第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電接腳，且上述至少一電容元件為一鉭質(zhì)電容。

7.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括：一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個(gè)導(dǎo)電體，其分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至少一電容元件的上表面之間及電性連接于上述至少一電容元件的下表面與上述至少一底層基板之間。

8.一種電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基板單元，其具有至少一頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板；

一絕緣單元，其具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間的第一絕緣層及至少一填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間的第二絕緣層；以及

一電容單元，其具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間且被上述至少一第一絕緣層所包覆的第一電容元件及至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一第二絕緣層所包覆的第二電容元件。

9.如權(quán)利要求8所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板、上述至少一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板由上而下依序堆疊在一起，且上述至少一第一電容元件與上述至少一第二電容元件皆為鉭質(zhì)電容。

10.如權(quán)利要求8所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括：一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體及至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體，其中上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至少一第一電容元件的上表面之間及電性接觸于上述至少一第一電容元件的下表面與上述至少一中間基板之間，上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體分別電性接觸于上述至少一中間基板與上述至少一第二電容元件的上表面之間及電性接觸于上述至少一第二電容元件的下表面與上述至少一底層基板之間。