[實用新型]一種半導體晶片單面拋光機用拋光盤

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020521325.1
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN201807976U
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 王永成;趙呈龍
• 申請（專利權）人: 上海致聯(lián)國際貿(mào)易有限公司
• 主分類號: B24D7/02
• 分類號: B24D7/02
• 代理公司: 上海浦東良風專利代理有限責任公司 31113
• 代理人: 陳志良

技術領域

本實用新型公開一種半導體晶片單面拋光機用拋光盤，屬于半導體晶片加工領域。

背景技術

半導體晶片(如硅片、砷化鎵、鍺片、藍寶石、磷化銦等)?單面拋光機拋光盤的平坦度控制是影響到晶片拋光精度的關鍵技術，目前國際上通用的做法是將金屬材質的拋光盤安裝于帶有冷卻水槽的基座上，通過冷卻水的流動及時散發(fā)拋光過程中產(chǎn)生的熱量以緩解拋光盤受熱變形，維持晶片拋光的幾何精度。

帶有水冷基座的拋光盤的設計結構有如下問題和缺陷：

1、金屬拋光盤受熱變形具有不可逆性，在特定的溫度下(通常是晶片拋光的工藝溫度)?將拋光盤研磨平整后，在拋光盤的溫度經(jīng)過變化后(如設備停機)再回歸到工藝溫度時，拋光盤并不能恢復到原先的平坦度狀態(tài)；

2、金屬拋光盤的材質(通常為不銹鋼,有部分廠家使用鑄鐵)和水冷基座因材質不同而導致拋光盤和水冷基座的受熱變形不同,從而導致有溫度變化時，拋光盤和水冷基座之間產(chǎn)生張力導致變形；

3、金屬材質的拋光盤和水冷基座因在生產(chǎn)及加工過程中產(chǎn)生內(nèi)部應力，這種應力緩慢釋放導致拋光盤的平坦度發(fā)生變化；

4、水冷基座的冷卻水槽在使用過程中水冷槽內(nèi)壁水垢凝結導致冷卻效果下降，并且對拋光盤的冷卻溫度不均勻，導致拋光盤平坦度變差。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術的缺陷，公開一種半導體晶片單面拋光機用拋光盤，采大理石盤作為半導體晶片單面拋光機的拋光盤。

本實用新型是這樣實現(xiàn)的：一種半導體晶片單面拋光機用拋光盤，包括用于支撐拋光盤的拋光機主軸承基座，其特征在于：所述的拋光盤為大理石材質的拋光盤，表面研磨平整，拋光盤采用螺栓固定，直接安裝在拋光機主軸承基座上。

由于大理石盤熱變形系數(shù)極小，所以大理石一直是精密測量領域標準平臺的首選材料，本實用新型采用大理石材質的拋光盤，其有益效果是：

1、可以省卻冷卻水的使用：由于半導體晶片的單面拋光是在機械作用和化學作用的雙重作用下進行，使用金屬拋光盤，很難在合適的化學反應溫度和拋光盤的平坦度之間找到一個平衡點。而使用大理石拋光盤，不管拋光溫度如何變化，拋光盤的平坦度始終維持在比較理想的范圍內(nèi)。同時，不使用冷卻水可以降低生產(chǎn)成本。

2、由于大理石熱變形系數(shù)極小且無應力變形的問題，長時間使用也無需對拋光盤進行修整，降低了設備的維護成本。

3、使用大理石材質的拋光盤比現(xiàn)有的金屬拋光盤降低了設備的制造成本。

附圖說明

圖1??是本實用新型結構示意圖。

具體實施方式

根據(jù)附圖，本實用新型采用大理石材質作為拋光盤1，其粘貼半導體晶片拋光布的表面需要被研磨平整。研磨表面可以在拋光盤1安裝到拋光機上之前完成，也可在拋光盤1安裝到拋光機后再進行研磨。大理石的拋光盤1采用螺栓固定，直接安裝于拋光機主軸承基座2上。