[實(shí)用新型]一種傳送部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020516401.X
• 申請(qǐng)日: 2010-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN201946579U
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳雄博;王昕昕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于CVD制造機(jī)臺(tái)反應(yīng)腔的傳送部件。

背景技術(shù)

在超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造工藝中，隨著電路尺寸的不斷縮小，開始通過增加淀積層數(shù)的方法，在垂直方向上進(jìn)行拓展。這些增加的層在器件、電路中起到各種不同的作用，主要可作為柵電極、多層布線的層間絕緣膜、金屬布線、電阻、表面鈍化等。對(duì)于小圖形，其分辨率受晶片表面的條件影響很大，隨著特征圖形尺寸減小到亞微米級(jí)，芯片制造工藝對(duì)低缺陷密度的要求越來越迫切，對(duì)沉積薄膜的質(zhì)量要求也越來越高，其厚度的均勻性不僅會(huì)影響到后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，也會(huì)影響到器件的電性能和機(jī)械性能，并進(jìn)而影響到器件的成品率及產(chǎn)量。

所謂沉積是指一種以物理方式沉積在晶片表面上的工藝過程，薄膜沉積的方法包括化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical?Vapor?Deposition)法和物理氣相沉積(PVD，Physical?Vapor?Deposition)法兩大類。其中，化學(xué)氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應(yīng)，其原子或分子淀積在晶片表面聚集形成薄膜的過程?；瘜W(xué)氣相沉積因其工藝較為簡單、不需高真空、便于制備復(fù)合產(chǎn)物、淀積速率高，以及淀積的各種薄膜具有良好的階梯覆蓋性能等優(yōu)點(diǎn)在半導(dǎo)體器件的制造中被廣泛使用。

化學(xué)氣相沉積需使用CVD制備機(jī)臺(tái)，CVD制備機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)效率很大程度上決定了半導(dǎo)體晶圓代工廠的生產(chǎn)效率，為了提高CVD制備機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)效率，在CVD制備機(jī)臺(tái)的反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)比較有效率的晶圓傳輸系統(tǒng)，以滿足反應(yīng)腔的加工需求。

請(qǐng)參考圖1A至圖1B，其中圖1A為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖1B為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的立體圖，如圖1A至圖1B所示，現(xiàn)有的傳送部件100包括：位于反應(yīng)腔1內(nèi)的加熱底盤101、陶瓷環(huán)102、陶瓷釘103以及位于反應(yīng)腔1外的氣缸104，所述氣缸104上有一金屬桿105，所述金屬桿105與所述陶瓷環(huán)102相連，所述氣缸104通過波紋管2進(jìn)行密封，從而使所述反應(yīng)腔1形成封閉的腔室，其中陶瓷環(huán)102包括支撐部件102a及固定在所述支撐部件102a上的軸套102b，所述金屬桿105與所述軸套102b相連；所述加熱底盤101上均勻地設(shè)有4個(gè)孔，所述陶瓷釘103的數(shù)量為4個(gè)，所述4個(gè)陶瓷釘103分別穿過所述4個(gè)孔并立放在所述陶瓷環(huán)102的上面。所述氣缸104用于驅(qū)動(dòng)所述金屬桿105進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，從而帶動(dòng)所述陶瓷環(huán)102上下運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)一步帶動(dòng)所述4個(gè)陶瓷釘103上下運(yùn)動(dòng)，從而可抬升和放下晶片。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖1C，圖1C為現(xiàn)有的陶瓷環(huán)與金屬桿連接方式的示意圖，如圖1C所示，現(xiàn)有的陶瓷環(huán)102與金屬桿105的連接方式為：所述軸套102b上設(shè)有一通孔，所述金屬桿105插入所述通孔內(nèi)，所述軸套102b與所述金屬桿105的側(cè)面通過一字口螺絲106進(jìn)行固定，并且所述一字口螺絲106沒有完全穿通所述金屬桿105。

然而，現(xiàn)有的傳送部件100存在以下問題：

1)由于長時(shí)間的伸縮運(yùn)動(dòng)，氣缸104的波紋管2的密封性會(huì)變差，從而會(huì)產(chǎn)生漏源；

2)由于反應(yīng)腔1在正常工作狀態(tài)下的溫度是400℃，長時(shí)間處于反應(yīng)腔1的400℃高溫環(huán)境下，氣缸104的金屬桿105會(huì)產(chǎn)生形變，從而使陶瓷釘103的水平升降受到影響，造成晶片位置的偏移；

3)陶瓷環(huán)102與氣缸104的金屬桿105通過一字口螺絲106進(jìn)行固定，由于反應(yīng)腔1內(nèi)的電漿的影響，所述一字口螺絲106的裸露部分會(huì)發(fā)生氧化腐蝕，因此需拆換氣缸104，然而由于所述一字口螺絲106沒有完全穿通所述金屬桿105，從而造成拆換氣缸104的同時(shí)需報(bào)廢沒有問題的陶瓷環(huán)102。

在上述的問題中，一字口螺絲106的裸露部分發(fā)生氧化腐蝕，從而造成報(bào)廢沒有問題的陶瓷環(huán)102這一問題是最突出的，因此需要對(duì)陶瓷環(huán)102與氣缸104的金屬桿105的固定方式進(jìn)行一番改進(jìn)，來減少此類問題的發(fā)生。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種傳送部件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中傳送部件的陶瓷環(huán)的軸套與氣缸的金屬桿之間通過一字口螺絲固定，由于一字口螺絲的裸露部分易發(fā)生氧化腐蝕，從而造成報(bào)廢沒有問題的陶瓷環(huán)的問題。