[實用新型]一種傳送部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020516401.X | 申請日: | 2010-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN201946579U | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳雄博;王昕昕 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 傳送 部件 | ||
1.一種傳送部件,用于CVD制造機臺的晶片傳輸,包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、氣缸以及多個陶瓷釘,所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個孔,所述多個陶瓷釘分別穿過所述多個孔立放在所述陶瓷環(huán)上,所述氣缸上設(shè)有金屬桿,其特征在于,所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定,所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán),并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶瓷蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的傳送部件,其特征在于,所述陶瓷環(huán)包括支撐部件及固定在所述支撐部件上的軸套,所述軸套上設(shè)有通孔,所述金屬桿插入所述通孔內(nèi),所述金屬桿的側(cè)面與所述軸套的側(cè)面通過所述內(nèi)六角螺絲及所述內(nèi)六角螺母固定,所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述軸套。
3.如權(quán)利要求2所述的傳送部件,其特征在于,所述陶瓷蓋包括第一部件及第二部件,所述第一部件包括第一底座以及與所述第一底座固定的第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu),所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁上開有多個凹槽,所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對稱地設(shè)有第一開口,所述第一開口的尾部為第一半圓形結(jié)構(gòu);所述第二部件包括第二底座以及與所述第二底座固定的第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu),所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外壁上設(shè)有多個凸塊,所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對稱地設(shè)有第二開口,所述第二開口的尾部為第二半圓形結(jié)構(gòu);其中,所述凹槽與所述凸塊相匹配。
4.如權(quán)利要求3所述的傳送部件,其特征在于,所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑,且所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑與所述凸塊的寬度之和大于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑,同時小于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑與所凹槽的深度之和。
5.如權(quán)利要求3所述的傳送部件,其特征在于,所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺絲的螺帽的直徑,所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺母的直徑。
6.如權(quán)利要求3所述的傳送部件,其特征在于,所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑與所述第二半圓形結(jié)構(gòu)的直徑相等,且所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑大于所述軸套的直徑。
7.如權(quán)利要求1所述的傳送部件,其特征在于,所述孔的數(shù)量為四個,所述陶瓷釘?shù)臄?shù)量為四個。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經(jīng)中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020516401.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





