[實用新型]大功率LED封裝模組

在審

• 申請號: 201020508132.2
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN201845773U
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 熊大曦;李蕊
• 申請（專利權）人: 蘇州科醫世凱半導體技術有限責任公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 傅靖

技術領域

本實用新型涉及一種LED照明產品，特別是一種大功率LED封裝模組。

背景技術

隨著LED技術的飛速發展及大功率LED生產技術的日趨成熟，其低耗、高效、體積小、重量輕和長壽命等眾多優點，使其得到廣泛的應用，大功率LED的封裝技術的發展，大大加快了大功率LED在照明領域和顯示領域的應用，特別是顯示領域，比如投影設備，不僅對LED芯片的散熱問題，還是對芯片排列布置以及間距等問題，都提出了較高的要求，目前低熱阻大功率發光二極管的封裝方法，生產工藝復雜，產品結構也較復雜，需要絕緣層、覆銅層、電極層和外絕緣層，金屬基板中心設有凹坑，LED芯片安裝于凹坑中，導致加工工序較多，生產成本較高，另外覆銅板下面的絕緣層也大大地增加了熱阻；另外現有LED芯片模組多采用雙極或多極LED芯片，無法在高的電流密度下運行，限制了其應用。

實用新型內容

為解決上述問題，本實用新型的目的在于提供一種生產工藝簡單、成本較低、熱阻較小，以及可方便的組成共陽極結構的大功率LED封裝模組。

為達到上述目的，本實用新型的技術方案是：一種大功率LED封裝模組，包括高導熱基板和LED芯片，

所述LED芯片為單極LED芯片，其陽極為所述LED芯片底座，其陰極從所述LED芯片的上表面引出；

當高導熱基板為金屬基板時，所述LED芯片的底座即陽極直接固定電連接于所述金屬基板上；

當高導熱基板為陶瓷基板時，所述LED芯片的底座即陽極直接固定連接于所述陶瓷基板上并相互電連接；

所述LED芯片為至少一個；

所述高導熱基板上還設有線路層，當高導熱基板為金屬基板時，線路層和金屬基板之間設有絕緣層，所述LED芯片的陰極之間通過所述線路層電連接。

優選的，所述相鄰LED芯片之間的距離為0.04mm-1mm。

優選的，所述大功率LED封裝模組還設有保護罩，所述保護罩包括邊框和設于邊框上或與邊框為一整體的透明窗，所述保護罩設于所述LED芯片的上面，透明窗對可見光有很高的透過率。

優選的，所述透明窗為凸透鏡或薄的玻璃片。

優選的，所述大功率LED封裝模組還設有溫度監控裝置，所述溫度監控裝置與控制所述大功率LED封裝模組的電源開啟或關閉的電控裝置電信號連接。

優選的，所述金屬基板包括銅基板、鋁基板和銀基板，所述陶瓷基板包括氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板。

優選的，所述LED芯片與所述高導熱基板的固定連接為高導熱錫膏焊接或銀漿固晶連接。

優選的，所述高導熱基板上還設有輔助定位的光學定位孔。

優選的，所述線路層包括至少兩條相互絕緣的線路層條，所述LED芯片分組分別與對應的線路層條電連接。

采用本技術方案的有益效果是：垂直結構的單極LED芯片，LED芯片直接固定連接于金屬基板上，可以采用焊接、銀漿固晶等加工工藝，不需要經過其它加工工藝，金屬基板與LED芯片之間沒有絕緣層，大大降低了熱阻，垂直結構的單極LED芯片直接通過金屬基板或導電的焊接層組成共陽極結構，整個產品結構簡單，生產成本較低。

附圖說明

圖1是本實用新型一種大功率LED封裝模組實施例1的剖視圖；

圖2是本實用新型一種大功率LED封裝模組實施例1的示意圖；

圖3是本實用新型一種大功率LED封裝模組實施例2的示意圖；

圖4是本實用新型一種大功率LED封裝模組實施例3的示意圖。

圖中數字和字母所表示的相應部件名稱：

11.金屬基板?12.陶瓷基板?2.單極LED芯片?21.陰極?3.線路層條41.邊框?42.透明窗?5.溫度傳感器?6.絕緣層?7.引腳?8.光學定位孔

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

實施例1，

如圖1和圖2所示，一種大功率LED封裝模組，包括高導熱基板和LED芯片，LED芯片為單極LED芯片2，其陽極為單極LED芯片2底座，其陰極從LED芯片2的上表面引出；高導熱基板采用金屬基板11，單極LED芯片2的底座即陽極直接固定電連接于金屬基板11上，即單極LED芯片2的底座即陽極與金屬基板11之間不設絕緣層，使得熱阻大大減小，金屬基板11同時作為陽極和散熱器，簡化了線路和減小了產品體積；