[實用新型]晶體硅材料的深冷處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020293127.4 | 申請日： | 2010-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN201764768U | 公開（公告）日： | 2011-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王士元 | 申請（專利權(quán)）人： | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號： | F25D3/10 | 分類號： | F25D3/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體 材料 冷處理 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種晶體硅材料的深冷處理裝置，其特征在于，包括：
工件倉；
設(shè)置于工件倉外部的液氮倉；
與液氮倉相連的非接觸式循環(huán)泵；
與工件倉相連的真空度表和溫度傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述液氮倉下方的支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，還包括：與液氮倉相連的液氮壓力表。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，所述工件倉為長方體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，所述液氮倉為長方體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，所述溫度傳感器為一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深冷處理裝置，其特征在于，所述真空度表為一個。
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