[實用新型]橫向擴散金屬氧化物半導體結構

無效

• 申請號: 201020289701.9
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN201732791U
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 余榮偉
• 申請（專利權）人: 四川和芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種半導體結構，尤指一種結構緊密、導通電阻低、且能承受大電流和大電壓的橫向擴散金屬氧化物半導體結構。

背景技術

隨著功率半導體技術和系統集成技術的不斷發展，功率器件的研究也越來越受到關注。功率器件對功率集成電路的體積、重量、價格、效率、性能以及可靠性起到至關重要的作用，因此有新技術不斷被應用到橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS，Laterally?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor)器件中，使其滿足市場的要求。正由于這個原因，LDMOS的結構和工藝不斷改進，各種LDMOS的衍生結構層出不窮。因此有必要針對實際應用中的需求提供一種結構緊密、導通電阻低、且能承受大電流和大電壓的LDMOS結構。

發明內容

鑒于以上內容，有必要提供一種結構緊密、導通電阻低、且能承受大電流和大電壓的橫向擴散金屬氧化物半導體結構。

一種橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其包括一柵極、一源極、一漏極及一襯底，所述柵極包括一多晶硅層，所述源極包括一P注入層，所述漏極包括所述P注入層、一P阱層及一深注入P阱層，一襯底連接端通過所述P注入層、所述P阱層、所述深注入P阱層及一P型埋層連接所述襯底。

優選地，所述漏極具有若干漏極區域，所述源級具有若干源級區域，所述柵極具有若干柵極區域，每一源級區域周圍有四個漏極區域，每一漏極區域周圍有四個源級區域，所述柵極區域位于所述源級區域與所述漏極區域之間。

優選地，所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構還包括一背柵，所述背柵包括一N注入層、一N阱層、一深注入N阱層、一N型外延層及一N型埋層。

優選地，所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構還包括一背柵，所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構還包括一場氧層。

優選地，所述襯底為P型襯底，所述襯底連接端為P型襯底連接端。

優選地，所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構為一種P溝道的橫向擴散金屬氧化物半導體結構。

相對現有技術，本實用新型橫向擴散金屬氧化物半導體結構在現有工藝上無須增加任何掩摸步驟即可制作出來，且結構緊密、導通電阻低、能承受大電流和大電壓。

附圖說明

圖1為本實用新型橫向擴散金屬氧化物半導體結構較佳實施方式的平面示意圖。

圖2為本實用新型橫向擴散金屬氧化物半導體結構較佳實施方式的剖面示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1，本實用新型橫向擴散金屬氧化物半導體結構較佳實施方式包括一漏極D、一源極S、一柵極G、一背柵B及一P型襯底PSUB。其平面示意圖如圖1所示，該漏極D具有若干漏極區域，該源級S具有若干源級區域，該柵極G具有若干柵極區域，該背柵B具有若干背柵區域，其中每一源級區域周圍有四個漏極區域，每一漏極區域周圍有四個源級區域，柵極區域位于源級區域與漏極區域之間，每一源極區域旁具有一背柵區域。

請同時參閱圖2，圖2為沿圖1的45度對角方向切割的剖面示意圖，即沿箭頭所示方向進行切割后的一剖面示意圖。由圖中可以看出，該橫向擴散金屬氧化物半導體結構包括一場氧層FOX、一P注入層P+、一P阱層LVPW、一深注入P阱層HVPW、一N型外延層NEPI、一N注入層N+、一N阱層LVNW、一深注入N阱層HVNW、一P型埋層PBL、一N型埋層NBL、一多晶硅層POLY、P型襯底PSUB、漏極D、源極S、柵極G、背柵B及一P型襯底連接端SUB。

其中，背柵B包括該N注入層N+、該N阱層LVNW、該深注入N阱層HVNW、該N型外延層NEPI及該N型埋層NBL；源極S包括該P注入層P+；柵極G包括該多晶硅層POLY；漏極D包括該P注入層P+、該P阱層LVPW及該深注入P阱層HVPW；P型襯底連接端SUB通過P注入層P+、P阱層LVPW、深注入P阱層HVPW及P型埋層PBL連接該P型襯底PSUB。