[實用新型]橫向擴散金屬氧化物半導體結構無效
| 申請號： | 201020289701.9 | 申請日： | 2010-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN201732791U | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發明（設計）人： | 余榮偉 | 申請（專利權）人： | 四川和芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其包括一柵極、一源極、一漏極及一襯底，其特征在于：所述柵極包括一多晶硅層，所述源極包括一P注入層，所述漏極包括所述P注入層、一P阱層及一深注入P阱層，一襯底連接端通過所述P注入層、所述P阱層、所述深注入P阱層及一P型埋層連接所述襯底。
2.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其特征在于：所述漏極具有若干漏極區域，所述源級具有若干源級區域，所述柵極具有若干柵極區域，每一源級區域周圍有四個漏極區域，每一漏極區域周圍有四個源級區域，所述柵極區域位于所述源級區域與所述漏極區域之間。
3.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其特征在于：所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構還包括一背柵，所述背柵包括一N注入層、一N阱層、一深注入N阱層、一N型外延層及一N型埋層。
4.如權利要求3所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其特征在于：所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構還包括一場氧層。
5.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其特征在于：所述襯底為P型襯底，所述襯底連接端為P型襯底連接端。
6.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體結構，其特征在于：所述橫向擴散金屬氧化物半導體結構為一種P溝道的橫向擴散金屬氧化物半導體結構。
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