[實用新型]長度測量系統

有效

• 申請號: 201020246479.4
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN201772862U
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 康盛;劉永波;何廣智
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01B11/02
• 分類號: G01B11/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種長度測量系統。

背景技術

現有技術中，晶圓(wafer)表面宏觀缺陷(macro?defects)的檢測是在光學顯微鏡(Optics?Microscope)中進行的，按照晶圓的尺寸，有12寸內聯光學顯微鏡和8寸光學顯微鏡。

通常，光學顯微鏡是一個密閉室，待檢測的晶圓放置在密閉室內，以避免外部環境污染該待檢測的晶圓。在檢測晶圓表面宏觀缺陷的過程中，需要測量這些宏觀缺陷的長度，如測量宏觀刮痕和宏觀裂痕的長度，測量晶圓邊緣曝光(wafer?edge?exposure)和晶圓洗邊(edge?bevel?remove)的寬度等，在密閉室內測量這些宏觀缺陷的長度是非常困難的。

現有技術中，在密閉室內測量宏觀缺陷的長度常采用兩種方式，一種是檢測員基于晶圓尺寸的基礎上，通過目測估計出宏觀缺陷的長度，對于12寸晶圓常采用這種方式，這種方式的缺點是測量精度低；另一種是將尺子送入密閉室，使用尺子測量宏觀缺陷的長度，對于8寸晶圓常采用這種方式，這種方式的缺點是測量時接觸晶圓表面的尺子容易刮傷晶圓表面。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種長度測量系統，避免損傷晶圓表面，而且測量精度高。

為了達到上述的目的，本實用新型提供一種長度測量系統，測量晶圓表面宏觀缺陷的長度，包括光源裝置、載片臺和自動控制裝置；所述載片臺位于所述光源裝置的下方；所述光源裝置發射的光束投射到所述載片臺的表面上；所述自動控制裝置與所述光源裝置和載片臺連接。

上述長度測量系統，其中，所述光源裝置包括外殼、光學系統、兩片擋片和固定轉軸；所述光學系統設置在所述外殼內；所述固定轉軸設置在所述外殼的上部；所述外殼的底端設有一細縫條，所述光學系統發射的光束經由該細縫條投射到所述載片臺的表面上；所述兩片擋片設置在所述外殼的底端，所述兩片擋片與所述細縫條滑動連接，所述兩片擋片沿所述細縫條的長度方向滑動，改變所述兩片擋片遮擋所述細縫條的長度，改變所述光源裝置投射到所述載片臺表面的投影長度；所述外殼、光學系統和兩片擋片同步繞所述固定轉軸轉動，改變所述光源裝置發射的光束相對所述載片臺表面的位置。

上述長度測量系統，其中，所述細縫條的長度方向平行于所述固定轉軸所在的直線。

上述長度測量系統，其中，所述固定轉軸平行于所述載片臺表面所在的平面。

上述長度測量系統，其中，所述光學系統包括點光源、第一透鏡和第二透鏡；所述點光源、第一透鏡和第二透鏡從上至下依次排列；所述第一透鏡和第二透鏡的光軸相互重合；所述點光源設置在所述第一透鏡的焦點上。

上述長度測量系統，其中，所述固定轉軸垂直于所述第一透鏡和第二透鏡的光軸。

上述長度測量系統，其中，所述第一透鏡和第二透鏡均為凸透鏡。

本實用新型長度測量系統將光源裝置發射的光束投射到晶圓表面的宏觀缺陷上，并使光源裝置發射的光束與晶圓表面的宏觀缺陷等長，因此只要知道光源裝置發射的光束的長度就能獲得宏觀缺陷的長度，而光源裝置發射的光束的長度可通過簡單的幾何定律求得，使用本實用新型長度測量系統測量晶圓表面宏觀缺陷的長度時，不會對晶圓表面造成損傷，而且求解光源裝置發射的光束的長度時，各物理量都能精確測得，因此，本實用新型長度測量系統的測量結果精確可靠。

附圖說明

本實用新型的長度測量系統由以下的實施例及附圖給出。

圖1是本實用新型長度測量系統的示意圖。

圖2是本實用新型中光源裝置的結構示意圖。

圖3是本實用新型中光源裝置的仰視圖。

圖4是本實用新型長度測量系統的工作原理圖(一)。

圖5是本實用新型長度測量系統的工作原理圖(二)

具體實施方式

以下將結合圖1～圖5對本實用新型的長度測量系統作進一步的詳細描述。

現以一具體實施例詳細說明本實用新型的長度測量系統：

參見圖1，本實用新型的長度測量系統包括一光源裝置100和一載片臺200；

所述載片臺200位于所述光源裝置100的下方；

待檢測晶圓300放置在所述載片臺200上；

所述光源裝置100發射的光束400投射到所述待檢測晶圓300的表面上；

所述載片臺200可繞其中心點O旋轉，從而帶動所述待檢測晶圓300旋轉(即自轉)；

所述光源裝置100可作單擺運動，從而帶動所述光束400在所述待檢測晶圓300的表面上擺動。