[實用新型]玻璃基板的檢測設備和干法刻蝕設備有效
| 申請號: | 201020246462.9 | 申請日: | 2010-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN201803915U | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 徐偉齊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01N7/00 | 分類號: | G01N7/00;G02F1/1333;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 檢測 設備 刻蝕 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示基板制造技術,尤其涉及玻璃基板的檢測設備和干法刻蝕設備。
背景技術
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器,其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產品。
液晶顯示器面板包括彩膜基板(Color?Filter,簡稱CF)和陣列基板,彩膜基板和陣列基板之間夾著一層液晶。其中,彩膜基板與陣列基板都是以玻璃基板作為最基本的原材料進行不同的工藝加工而成的。因此,為了保證彩膜基板和陣列基板的質量,對于作為原材料的玻璃基板的質量要求也就非常高。現有技術中,技術人員單憑肉眼是很難分辨玻璃基板上的細小裂紋的,但是即便是再細小的裂紋,也會對液晶顯示器的質量帶來很大的問題。尤其是陣列基板。
陣列基板的制造過程通常需要循環進行成膜、黃光、刻蝕和去膠幾個工藝以做出多層圖案層。其中的刻蝕工藝的主要目的是在光刻膠圖案的遮蔽下將不需要的膜去除,從而形成所需要的圖案層。利用等離子體去除不必要的膜的刻蝕工藝為干法刻蝕,利用化學藥液去除不必要的膜的刻蝕工藝為濕法刻蝕。
干法刻蝕一般是在真空腔室內,通過施加垂直于玻璃基板平面的電場,并通入恰當的氣體而產生等離子,對玻璃基板表面進行刻蝕。為了產生垂直于玻璃基板平面的電場,通常會在腔室上下各有一個平板電極。玻璃基板放置在下部電極的表面。圖1為現有技術中提供的下部電極的俯視結構圖,為了保證刻蝕過程中玻璃基板溫度的恒定,一般會將下部電極21做出突起12,并通過下部電極21中心區域的氣孔6向玻璃基板的背面通入氦氣,通過下部電極21上表面的突起12之間的間隙向玻璃基板的背面擴散以達到冷卻的目的。8為覆蓋下部電極21四周的陶瓷塊。
然而在干法刻蝕的過程中,如果玻璃基板上存在裂紋,在等離子放電刻蝕時,等離子很容易通過這個間隙直接將上部電極和下部電極導通,從而發生擊穿現象,損壞電極。同樣會導致擊穿現象的是由于光刻膠以及各種金屬、非金屬膜的刻蝕所產生的副產物,這些副產物中會有少部分由于并不是氣態而不能夠被排出腔室外。當玻璃基板刻蝕完成后被搬離出腔室時,這少部分副產物有可能會散落在下部電極的表面。當下一塊待刻蝕的玻璃基板進入腔室時,就有可能因為這少部分副產物的存在而使得玻璃基板和下部電極之間存在間隙,這樣的間隙同樣可能會發生電極的擊穿現象。
實用新型內容
本實用新型提供一種玻璃基板的檢測設備和利用該玻璃基板的檢測設備進行干法刻蝕的設備,以解決由于玻璃基板的裂紋或者玻璃基板和下部電極之間的異物導致的液晶顯示器的質量問題以及電極擊穿問題,保證了液晶顯示器的質量以及干法刻蝕設備的安全使用。
本實用新型提供一種玻璃基板的檢測設備,包括:
具有多個檢測氣孔的載臺,所述多個檢測氣孔位于所述載臺上所述玻璃基板的覆蓋區域;
與所述多個檢測氣孔相連通的檢測管路,所述檢測管路用于向所述多個檢測氣孔通入氣體;
與所述檢測管路相連接的檢測元件,所述檢測元件用于檢測通入所述檢測氣孔的氣體流量或壓力以確定所述玻璃基板是否存在裂縫。
如上所述的玻璃基板的檢測設備,還包括報警器;所述報警器與所述檢測元件電性連接,用于當所述檢測元件檢測到所述檢測氣孔的氣體流量或壓力不正常時,發出報警信號。
如上所述的玻璃基板的檢測設備,所述檢測氣孔的孔徑為0.5mm-3mm。
如上所述的玻璃基板的檢測設備,所述多個檢測氣孔之間的距離范圍在10~50mm之間。
本實用新型還提供了一種利用上述玻璃基板的檢測設備進行干法刻蝕的設備,包括真空腔室內相對設置的上部電極和下部電極,所述上部電極和所述下部電極用于對放置于所述下部電極上的玻璃基板施加電場,其特征在于,所述下部電極為所述載臺,所述多個檢測氣孔位于所述下部電極上靠近所述玻璃基板覆蓋區域的邊緣位置,所述玻璃基板的檢測設備還用于檢測所述下部電極與所述玻璃基板之間是否存在異物。
如上所述的利用上述玻璃基板的檢測設備進行干法刻蝕的設備,所述下部電極的四周具有陶瓷塊,所述陶瓷塊上具有多個所述檢測氣孔。
如上所述的利用上述玻璃基板的檢測設備進行干法刻蝕的設備,所述下部電極上靠近所述玻璃基板覆蓋區域的邊緣位置為:距離所述玻璃基板覆蓋區域邊緣3~10cm的位置。
如上所述的利用上述玻璃基板的檢測設備進行干法刻蝕的設備,所述下部電極的中心區域具有氣孔,所述氣孔與所述檢測管路相連,所述氣孔用于通入氣體以冷卻所述玻璃基板;
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