[實(shí)用新型]一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020240781.9
• 申請(qǐng)日: 2010-06-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201773841U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿開(kāi)遠(yuǎn);周健;朱法揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/74
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/74;H01L29/06
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專(zhuān)利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種可控硅結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

常規(guī)陰極擴(kuò)散僅擴(kuò)散陰極區(qū)，在進(jìn)行臺(tái)面腐蝕槽步驟時(shí)腐蝕槽速度慢，腐蝕后的臺(tái)面腐蝕槽邊緣不平齊，臺(tái)面腐蝕槽底部不太平整，腐蝕時(shí)的側(cè)向腐蝕量較大，整個(gè)硅片的翹曲度較大。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，能有效解決上述存在的問(wèn)題。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)、短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和穿通擴(kuò)散區(qū)，所述與穿通擴(kuò)散區(qū)相連的可控硅短基區(qū)還增加了擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，所述擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)與穿通擴(kuò)散區(qū)連接。

本實(shí)用新型除擴(kuò)散陰極區(qū)外，還在臺(tái)面腐蝕槽處擴(kuò)散了陰極雜質(zhì)，使得此處硅片的雜質(zhì)濃度大大增加。硅片的高摻雜處在臺(tái)面腐蝕時(shí)更易腐蝕，腐蝕速率大大增加。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：

1、腐蝕速率快；2、臺(tái)面腐蝕后槽邊緣較常規(guī)更加平齊；3、臺(tái)面腐蝕后槽底部較常規(guī)更加平整；4、側(cè)向腐蝕量較常規(guī)明顯減??；5、整個(gè)硅片的翹曲度比常規(guī)小。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、穿通擴(kuò)散區(qū)，2、短基區(qū)，3、陰極區(qū)，4、擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)，5、長(zhǎng)基區(qū)。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本實(shí)用新型的一種加快臺(tái)面腐蝕槽進(jìn)度的可控硅結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)3、短基區(qū)2、長(zhǎng)基區(qū)5和穿通擴(kuò)散區(qū)1，與穿通擴(kuò)散區(qū)1相連的可控硅短基區(qū)2還增加了擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)4，擴(kuò)散陰極雜質(zhì)的輔助臺(tái)面腐蝕區(qū)4與穿通擴(kuò)散區(qū)1連接。

本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)式通過(guò)陰極版在光刻腐蝕時(shí)，同時(shí)刻蝕出陰極圖形和臺(tái)面腐蝕槽的圖形，陰極擴(kuò)散時(shí)此兩處均擴(kuò)散進(jìn)高濃度陰極雜質(zhì)。臺(tái)面腐蝕槽處擴(kuò)散的陰極雜質(zhì)使得臺(tái)面腐蝕槽時(shí)更易腐蝕。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：

1、腐蝕速率快；2、臺(tái)面腐蝕后槽邊緣較常規(guī)更加平齊；3、臺(tái)面腐蝕后槽底部較常規(guī)更加平整；4、側(cè)向腐蝕量較常規(guī)明顯減??；5、整個(gè)硅片的翹曲度比常規(guī)小。