[實用新型]一種加快臺面腐蝕槽進度的可控硅結構

有效

• 申請號: 201020240781.9
• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN201773841U
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 耿開遠;周健;朱法揚
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

技術領域

本實用新型涉及一種可控硅結構，尤其涉及一種加快臺面腐蝕槽進度的可控硅結構。

背景技術

常規陰極擴散僅擴散陰極區，在進行臺面腐蝕槽步驟時腐蝕槽速度慢，腐蝕后的臺面腐蝕槽邊緣不平齊，臺面腐蝕槽底部不太平整，腐蝕時的側向腐蝕量較大，整個硅片的翹曲度較大。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種加快臺面腐蝕槽進度的可控硅結構，能有效解決上述存在的問題。

本實用新型采用的技術方案是：

一種加快臺面腐蝕槽進度的可控硅結構，包括陰極區、短基區、長基區和穿通擴散區，所述與穿通擴散區相連的可控硅短基區還增加了擴散陰極雜質的輔助臺面腐蝕區，所述擴散陰極雜質的輔助臺面腐蝕區與穿通擴散區連接。

本實用新型除擴散陰極區外，還在臺面腐蝕槽處擴散了陰極雜質，使得此處硅片的雜質濃度大大增加。硅片的高摻雜處在臺面腐蝕時更易腐蝕，腐蝕速率大大增加。

本實用新型的優點是：

1、腐蝕速率快；2、臺面腐蝕后槽邊緣較常規更加平齊；3、臺面腐蝕后槽底部較常規更加平整；4、側向腐蝕量較常規明顯減小；5、整個硅片的翹曲度比常規小。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述：

圖1為本實用新型的結構示意圖。

其中：1、穿通擴散區，2、短基區，3、陰極區，4、擴散陰極雜質的輔助臺面腐蝕區，5、長基區。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型的一種加快臺面腐蝕槽進度的可控硅結構，包括陰極區3、短基區2、長基區5和穿通擴散區1，與穿通擴散區1相連的可控硅短基區2還增加了擴散陰極雜質的輔助臺面腐蝕區4，擴散陰極雜質的輔助臺面腐蝕區4與穿通擴散區1連接。

本實用新型結構式通過陰極版在光刻腐蝕時，同時刻蝕出陰極圖形和臺面腐蝕槽的圖形，陰極擴散時此兩處均擴散進高濃度陰極雜質。臺面腐蝕槽處擴散的陰極雜質使得臺面腐蝕槽時更易腐蝕。

本實用新型的優點是：

1、腐蝕速率快；2、臺面腐蝕后槽邊緣較常規更加平齊；3、臺面腐蝕后槽底部較常規更加平整；4、側向腐蝕量較常規明顯減??；5、整個硅片的翹曲度比常規小。