[實(shí)用新型]芯片加速軟失效率測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020216131.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201773171U | 公開(公告)日: | 2011-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李剛;劉云海;馮軍宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/303 | 分類號(hào): | G01R31/303;G01R1/02 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 20120*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 加速 失效 測(cè)試 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試裝置,尤其涉及一種芯片加速軟失效率測(cè)試裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域內(nèi),采用放射源照射芯片是為了加速被測(cè)芯片的軟失效率,達(dá)到短時(shí)間內(nèi)對(duì)芯片軟失效率評(píng)估的目的。所述加速軟失效是一種可恢復(fù)的暫時(shí)性的失效。芯片在放射性粒子的照射下,造成芯片內(nèi)的晶體管失效,通常6個(gè)或4個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)Bit,失效率相對(duì)失效的Bit數(shù)而言。
現(xiàn)有的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置,包括一設(shè)于芯片上方的放射源和一用于罩柱整個(gè)放射源和芯片的紙質(zhì)罩子所述芯片封裝在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi),所述封裝結(jié)構(gòu)如塑封體或陶瓷封裝基座。由于放射源緊貼于芯片的封裝結(jié)構(gòu)的表面,因此,操作人員無(wú)法控制放射源與芯片的距離。如果芯片的高度較高,鍵合引線高出測(cè)試芯片的表面,則放射源會(huì)碰壓鍵合引線,導(dǎo)致短路,致使芯片失效,無(wú)法繼續(xù)測(cè)試。
JEDEC(即Joint?Electron?Device?Engineering?Council,也即電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì))所提出的關(guān)于ASER測(cè)試(即加速軟失效率測(cè)試)的標(biāo)準(zhǔn)是:如果放射源與芯片的距離<1mm時(shí),則不考慮Fg(幾何因子);如果放射源與芯片的距離>1mm時(shí),就要考慮Fg。然而,通常情況是放射源與芯片的距離都是>1mm,所以我們需要精確的知道放射源與芯片的確切距離。而且,在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中,我們也需要根據(jù)實(shí)際需求來(lái)調(diào)整放射源與芯片之間的距離。
因此,如何一種可以精確調(diào)整放射源與芯片之間距離的芯片放測(cè)試裝置是本領(lǐng)域亟待解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片加速軟失效率測(cè)試裝置,可以精確調(diào)整放射源與芯片之間距離。
為了達(dá)到上述的目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
一種芯片加速軟失效率測(cè)試裝置,包括用于套置于含有芯片的封裝結(jié)構(gòu)的罩子、螺桿、放射源和標(biāo)尺;所述罩子的下端開口,所述罩子的上端為設(shè)有螺紋孔的頂板;所述螺桿穿套于所述螺紋孔內(nèi),所述螺桿的外螺紋與所述螺紋孔的內(nèi)螺紋相匹配,所述螺桿的上端向外伸出,所述螺桿的下端伸入所述罩子的內(nèi)腔;所述放射源固設(shè)于所述螺桿的下端;所述標(biāo)尺沿豎直方向固設(shè)于所述螺桿的外側(cè)面。
在上述的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置中,所述螺桿的下端底部設(shè)有用于安置放射源的凹槽,所述凹槽的大小與放射源的大小相匹配,所述放射源與所述螺桿通過(guò)螺釘固定連接。
在上述的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置中,所述標(biāo)尺嵌置于所述螺桿的外側(cè)面。
在上述的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置中,所述螺桿的上端頂面固設(shè)有旋鈕。
本實(shí)用新型的有益效果如下:
本實(shí)用新型,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,不但可以通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)螺桿實(shí)現(xiàn)自由調(diào)節(jié)放射源的高度,從而實(shí)現(xiàn)自由調(diào)節(jié)放射源和芯片之間的距離;而且,通過(guò)配合使用標(biāo)尺,可以精確控制放射源和芯片之間的距離,將放射源固定在所需的高度,使得放射源和芯片之間保持合適的距離。
附圖說(shuō)明
本實(shí)用新型的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置由以下的實(shí)施例及附圖給出。
圖1是本實(shí)用新型的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中,1-罩子、11-螺紋孔、2-螺桿、21-凹槽、3-放射源、4-標(biāo)尺、5-旋鈕、6-螺釘、7-芯片、8-封裝結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
以下將對(duì)本實(shí)用新型的芯片加速軟失效率測(cè)試裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須作出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
為使本實(shí)用新型的目的、特征更明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
請(qǐng)參閱圖1,這種芯片加速軟失效率測(cè)試裝置,包括用于套置于含有芯片7的封裝結(jié)構(gòu)8的罩子1、螺桿2、放射源3和標(biāo)尺4。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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