[實(shí)用新型]一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020216107.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201729875U | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李廣寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/52 | 分類號(hào): | C23C14/52;C23C14/22 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 避免 pvd 腔室中 射頻 熱輻射 泄漏 護(hù)罩 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩。
背景技術(shù)
物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,PVD)工藝是半導(dǎo)體制造技術(shù)中最通用的工藝之一。該工藝在真空腔室中利用等離子體中的離子對(duì)靶進(jìn)行轟擊,使得靶材的粒子濺出,濺出的粒子沉積到晶圓上就形成了薄膜。這里的真空腔室稱為PVD腔室。通常,PVD腔室中使用大功率源以產(chǎn)生等離子體,這就導(dǎo)致射頻(RF)和熱輻射容易從用于監(jiān)測(cè)腔室情況的觀察窗口(view?port)泄漏。由此,需要設(shè)計(jì)用于罩住PVD腔室的觀察窗口的保護(hù)罩,以避免射頻和熱輻射的泄漏。
圖1為一種PVD腔室的觀察窗口的示意圖。如圖1所示,觀察窗口20通過一圈螺釘21固定在PVD腔室的腔體10上,且觀察窗口20由透明材料制成。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一種保護(hù)罩的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2中,保護(hù)罩30包括圓形平板31、固定腳32A、32B以及掛鉤33。固定腳32A、32B垂直于圓形平板31所在平面延伸而形成,用于使得保護(hù)罩30罩住觀察窗口20。掛鉤33平行于圓形平板31所在平面延伸而形成,方便于安裝和取下保護(hù)罩30。然而,現(xiàn)有的保護(hù)罩30與觀察窗口20匹配得不夠好,兩者之間存在有較大的縫隙(gap)。這就導(dǎo)致射頻和熱輻射從縫隙處泄漏,從而對(duì)附近的其它腔室產(chǎn)生較大影響,如圖3至圖5所示。圖3為對(duì)處于烘烤(bake?out)狀態(tài)的腔室采用現(xiàn)有保護(hù)罩時(shí)附近另一腔室的壓力平均值的時(shí)間變化示意圖,其中,橫坐標(biāo)為時(shí)間,單位為分(min),縱坐標(biāo)為腔室壓力平均值,單位為毫托(mT)。圖4為對(duì)處于預(yù)熱(burn?in)狀態(tài)的腔室采用現(xiàn)有保護(hù)罩時(shí)附近另一腔室的晶圓背壓平均值的時(shí)間變化示意圖,其中,橫坐標(biāo)為時(shí)間,單位為分(min),縱坐標(biāo)為晶圓背壓平均值,單位為毫托(mT)。圖5為對(duì)處于預(yù)熱狀態(tài)的腔室采用現(xiàn)有保護(hù)罩時(shí)附近另一腔室的加熱器(heater)的平均工作溫度的時(shí)間變化示意圖,其中,橫坐標(biāo)為時(shí)間,單位為分(min),縱坐標(biāo)為加熱器平均工作溫度,單位為攝氏度(℃)。從圖3至圖5可以看出,曲線波動(dòng)較大,在某些時(shí)間點(diǎn)甚至出現(xiàn)了較大幅度的回落,這說明射頻和熱輻射的泄漏較嚴(yán)重。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,以解決現(xiàn)有保護(hù)罩與PVD腔室的觀察窗口之間存在較大縫隙而射頻和熱輻射從縫隙處泄漏的問題。
本實(shí)用新型提供一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,所述保護(hù)罩用于罩住所述PVD腔室的觀察窗口,其包括:第一卡持部,其包括第一上側(cè)壁、第一下側(cè)壁以及第一連接部,所述第一上側(cè)壁中形成有多個(gè)開孔,所述第一上側(cè)壁和所述第一下側(cè)壁在交界處形成第一卡持線,所述第一連接部分別形成于所述第一上側(cè)壁和所述第一下側(cè)壁的兩端;第二卡持部,其包括第二上側(cè)壁、第二下側(cè)壁以及第二連接部,所述第二上側(cè)壁中形成有多個(gè)開孔,所述第二上側(cè)壁和所述第二下側(cè)壁在交界處形成第二卡持線,所述第二連接部分別形成于所述第二上側(cè)壁和所述第二下側(cè)壁的兩端;被卡持板,其邊緣卡持在所述第一卡持線和所述第二卡持線,其中,所述第一連接部和所述第二連接部配合使用以使得所述第一卡持部和所述第二卡持部連接成閉合狀,所述第一卡持部與所述被卡持板活動(dòng)連接。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述第二卡持部與所述被卡持板固定連接。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述第二卡持部與所述被卡持板活動(dòng)連接。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述第一連接部為卡扣,所述第二連接部為卡槽。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述第一連接部為卡槽,所述第二連接部為卡扣。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述被卡持板為圓形。
在上述避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩中,所述保護(hù)罩的材料為不銹鋼。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,通過將被卡持板卡持在第一卡持部和第二卡持部之間,且第一卡持部和第二卡持部連接成閉合狀,從而保護(hù)罩和PVD腔室的觀察窗口能夠較好地匹配,進(jìn)而較好地避免射頻和熱輻射的泄漏。此外,由于第一卡持部和第二卡持部的上側(cè)壁中形成有多個(gè)開孔,在PVD腔室處于烘烤狀態(tài)時(shí)能夠?qū)η皇仪闆r進(jìn)行監(jiān)測(cè),而且,由于第一卡持部與被卡持板活動(dòng)連接,在需要較大的監(jiān)測(cè)視角時(shí)可以卸下該第一卡持部。
附圖說明
圖1為一種PVD腔室的觀察窗口的示意圖;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





