[實(shí)用新型]一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020216107.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201729875U | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李廣寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/52 | 分類號(hào): | C23C14/52;C23C14/22 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 20120*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 避免 pvd 腔室中 射頻 熱輻射 泄漏 護(hù)罩 | ||
1.一種避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,所述保護(hù)罩用于罩住所述PVD腔室的觀察窗口,其特征在于,包括:
第一卡持部,其包括第一上側(cè)壁、第一下側(cè)壁以及第一連接部,所述第一上側(cè)壁中形成有多個(gè)開孔,所述第一上側(cè)壁和所述第一下側(cè)壁在交界處形成第一卡持線,所述第一連接部分別形成于所述第一上側(cè)壁和所述第一下側(cè)壁的兩端;
第二卡持部,其包括第二上側(cè)壁、第二下側(cè)壁以及第二連接部,所述第二上側(cè)壁中形成有多個(gè)開孔,所述第二上側(cè)壁和所述第二下側(cè)壁在交界處形成第二卡持線,所述第二連接部分別形成于所述第二上側(cè)壁和所述第二下側(cè)壁的兩端;
被卡持板,其邊緣卡持在所述第一卡持線和所述第二卡持線,
其中,所述第一連接部和所述第二連接部配合使用以使得所述第一卡持部和所述第二卡持部連接成閉合狀,所述第一卡持部與所述被卡持板活動(dòng)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述第二卡持部與所述被卡持板固定連接。
3.如權(quán)利要求1所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述第二卡持部與所述被卡持板活動(dòng)連接。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述第一連接部為卡扣,所述第二連接部為卡槽。
5.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述第一連接部為卡槽,所述第二連接部為卡扣。
6.如權(quán)利要求1所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述被卡持板為圓形。
7.如權(quán)利要求1所述的避免PVD腔室中射頻和熱輻射泄漏的保護(hù)罩,其特征在于,所述保護(hù)罩的材料為不銹鋼。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





