[實用新型]24對棒多晶硅還原爐

有效

• 申請號: 201020215600.7
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN201785197U
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 王姍
• 申請（專利權）人: 成都蜀菱科技發展有限公司
• 主分類號: C01B33/021
• 分類號: C01B33/021
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種生產多晶硅用的還原爐，特別是一種以提高單爐的產量和降低能耗為目的大對棒數多晶硅還原爐。

背景技術

多晶硅還原爐是生產多晶硅原料的關鍵設備，同時又是一個高耗能的設備。因此，還原爐的設計和制造，直接影響到產品的產量、質量和生產成本。隨著多晶硅市場的竟爭日趨激烈，要求多晶硅生產必須做到充分利用生產資料，提高生產效率、降低生產成本。因此，開發大對棒數還原爐為多晶硅生產企業提高產量、質量、節省投資顯得尤為重要。

現有的多晶硅還原爐結構由底盤、爐體組成，爐子主體采用不銹鋼材料。底盤上設置電極、進氣口和還原尾氣排氣口。從節能降耗、提高生產效率、降低生產成本考慮，其單爐產量有待進一步提高。

發明內容

本實用新型的目的是為了提高產品的產量和質量，對現有多晶硅還原爐底盤和爐體的冷卻腔的結構和尺寸進行優化設計，設計一種提高多晶硅的產量和降低能耗，降低多晶硅生產的成本的高產多晶硅還原爐。

本實用新型的結構特點實現了上述設計目的。本實用新型是一種24對棒多晶硅還原爐，由底盤和爐體構成，在爐體和底盤上設有冷卻水腔和冷卻水進出水口，底盤上配有電極、進氣口和排氣口，底盤與爐體采用緊固件連接，其特征在于：還原爐內壁有一層厚度為2-3mm的光滑的銀層，底盤上有24對用于生成硅棒的電極。

上述設置的24對電極在底盤上分三圈在360°上均布：內圈4對電極，中圈8對電極，外圈為12對電極，底盤上位于內圈和中圈電極之間在相距180°設置2個進氣噴嘴，中圈電極與外圈電極之間360°上均勻分布4個進氣噴嘴，底盤中心設有還原尾氣的排氣口。

本實用新型由于采用了在爐子底盤上采用大對數電極、在還原爐內壁設置光滑的銀層，均勻設置多個進氣噴嘴，使多晶硅還原爐中反應時的供料氣體分布更均勻，反應更充分，多晶硅棒數量更多，并利用銀的化學特性和良好的加工性，以及拋光后的鏡面效果，顯著提高了反應效率和單爐產量，在生產出純度更高的多晶硅產品的同時，大幅度降低了能耗，從而大大降低了多晶硅的生產成本。

附圖說明

圖1是本24對棒多晶硅還原爐的外觀示意圖。

圖2是爐子底盤電極、進氣噴嘴和排氣口分布示意圖。

實施例1

如圖所示，本實用新型是一種高產24對棒多晶硅還原爐，由底盤9和爐體5構成，底盤與爐體采用法蘭盤8連接。爐體5上設有冷卻水腔夾套7，在底盤9上也設有冷卻水夾套，夾套上設有冷卻水進出口。爐體上設有9個用于觀察和測量溫度的視孔4，分上、中、下三層120°均布；還原爐內壁有一層光滑的銀層3，厚度2-3mm。底盤上設置有24對電極10在底盤上分三圈分布：內圈為4對電極，中圈為8對電極，外圈為12對電極；爐子下部有進氣管道2與底盤上的6個進氣噴嘴11連通，6個進氣噴嘴在底盤上的分布是內圈與中圈之間相距180°設置2個噴嘴，中圈與外圈之間360°均勻分布4個噴嘴，底盤中心設有還原尾氣的出氣口1。