[實用新型]一種GaAs微波功率放大器保護控制電路

無效

• 申請號: 201020208764.7
• 申請日: 2010-05-31
• 公開（公告）號: CN201656917U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 楊亞寧
• 申請（專利權）人: 中國江南航天工業集團林泉電機廠
• 主分類號: H03F1/52
• 分類號: H03F1/52
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 劉楠

技術領域

本實用新型涉及一種電路，特別是一種GaAs（砷化鎵）微波功率放大器保護控制電路。

背景技術

發射機的主要功能就是將攜帶有用PCM信號的射頻信號功率放大到一定的功率后輸出，通過天線傳回地面，供地面設備接收處理分析。目前發射機普遍選用GaAs微波功率放大器來實現射頻信號的功率放大，而GaAs微波功率放大器要安全正常工作，就必須滿足以下條件：提供負極性的柵極偏置電壓，同時還須保證柵極負電壓比給放大器供電源級正電壓先建立的特性。現今DC/DC二次電源模塊設計時沒有考慮負電壓比正電壓先建立的功能，因此需要設計一種電路來實現負電源比正電源先建立的功能，以達到保護GaAs微波功率放大器安全工作的目的。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種GaAs微波功率放大器保護控制電路。該電路利用負電壓控制正電壓的輸出，只有負電壓建立以后正電壓才能加載到功率放大器的電源輸入端，最終實現對功率放大器的供電保護功能，保證其安全正常工作。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案：GaAs微波功率放大器保護控制電路。包括高速光電耦合器、開關三極管和PMOS晶體管，所述高速光電耦合器內部的發光三極管的輸入端連接負電壓；高速光電耦合器內部的光敏三極管的輸入端連接正電壓，光敏三極管的輸出端串接開關三極管；開關三極管串接PMOS晶體管。

上述的GaAs微波功率放大器保護控制電路中，具體的說是這樣的：所述高速光電耦合器的輸出端連接到開關三極管的基極，開關三極管的發射極接地，開關三極管的集電極連接到PMOS晶體管的柵極，PMOS晶體管的漏極接電源輸出的直流正電壓，PMOS晶體管的源極輸出直接接功率放大器的供電管腳。

本實用新型的有益效果：與現有技術相比，本實用新型利用負電壓控制正電壓的輸出，只有負電壓建立以后正電壓才能加載到功率放大器的電源輸入端，最終實現對功率放大器的供電保護功能，為產品中的關鍵件（功率放大器）的安全正常可靠工作提供了保證。本實用新型是目前GaAs功率放大器安全正常工作必須的保護電路，在使用GaAs功率放大器的設備中可以普遍采用，具有廣泛的設計參考價值。

附圖說明

圖1是本實用新型的原理圖。

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步的說明。

具體實施方式

實施例。如圖1所示，包括高速光電耦合器1、開關三極管2和PMOS晶體管3，本例中高速光電耦合器1的型號為HSSR-7111，開關三極管2的型號為BT2369，PMOS晶體管3的型號為IRF4905S。高速光電耦合器1內部的發光三極管4的輸入端連接負電壓VSS；光電耦合器1內部的光敏三極管5的輸入端連接正電壓VCC，光敏三極管5的輸出端串接開關三極管2；開關三極管2串接PMOS晶體管3。高速光電耦合器1的輸出端連接到開關三極管2的基極，開關三極管2的發射極接地，開關三極管2的集電極連接到PMOS晶體管3的柵極，PMOS晶體管3的漏極接電源輸出的直流正電壓VCC，PMOS晶體管3的源極輸出VCC’直接接功率放大器的供電管腳。

工作原理：當負電壓VSS（-5V）未加在光電耦合器1的輸入端6時，光電耦合器1內部的發光三極管4不能打開，正電壓VCC無法通過，開關三極管2無法導通，PMOS晶體管3的柵極與漏極電壓相同，無電壓差，PMOS晶體管3不能打開，?VCC′無輸出電壓（VCC'為功率放大器的供電電壓），此時功率放大器不會工作，避免了功率放大器在柵極沒有-5V偏置電壓的情況下直接加載正電壓而導致功率放大器燒毀失效，實現了對功率放大器的保護。

當負電壓VSS（-5V）加在光電耦合器1的輸入端6時，光電耦合器1內部的發光三極管4打開，正電壓VCC通過，開關三極管2導通，PMOS晶體管3的柵極電壓約為0V，柵極與漏級的電壓差小于-4V，PMOS晶體管3打開，正電壓通過PMOS晶體管3?后為功率放大器供電。

本實用新型的實施方式不限于上述實施例，在不脫離本實用新型宗旨的前提下做出的各種變化均屬于本實用新型的保護范圍之內。