[實用新型]一種GaAs微波功率放大器保護控制電路

無效

• 申請號: 201020208764.7
• 申請日: 2010-05-31
• 公開（公告）號: CN201656917U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 楊亞寧
• 申請（專利權）人: 中國江南航天工業集團林泉電機廠
• 主分類號: H03F1/52
• 分類號: H03F1/52
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 劉楠

1.一種GaAs微波功率放大器保護控制電路，包括高速光電耦合器（1）、開關三極管（2）和PMOS晶體管（3），其特征在于：所述高速光電耦合器（1）內部的發光三極管（4）的輸入端連接負電壓（VSS）；高速光電耦合器（1）內部的光敏三極管（5）的輸入端連接正電壓（VCC），光敏三極管（5）的輸出端串接開關三極管（2）；開關三極管（2）串接PMOS晶體管（3）。

2.根據權利要求1所述的GaAs微波功率放大器保護控制電路，其特征在于：所述高速光電耦合器（1）的輸出端連接到開關三極管（2）的基極，開關三極管（2）的發射極接地，開關三極管（2）的集電極連接到PMOS晶體管（3）的柵極，PMOS晶體管（3）的漏極接電源輸出的直流正電壓（VCC），PMOS晶體管（3）的源極輸出（VCC’）直接接功率放大器的供電管腳。