[實用新型]一種復(fù)合氣浮裝置及使用復(fù)合氣浮裝置的硅片臺移動裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020201104.6
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN201732777U
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙正龍;朱岳彬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/677
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，包括：

氣缸缸體，所述氣缸缸體的缸徑端開有一缸體型腔，所述缸體型腔的底部開有透空環(huán)槽，所述氣缸缸體外接氣缸氣源；

氣浮柱塞桿，所述氣浮柱塞桿位于所述氣缸缸體內(nèi)，并在所述氣缸缸體內(nèi)移動，所述氣浮柱塞桿為一包括底部圓柱體及頂部圓柱體的截面呈“凸”形的圓臺體結(jié)構(gòu)，所述氣浮柱塞桿底部圓柱體的外部開有第一環(huán)槽及第二環(huán)槽，所述頂部圓柱體的外部沿直徑方向開有多個第一通孔，所述多個第一通孔在所述頂部圓柱體的中心位置處相通，所述第一通孔外接氣浮柱塞桿氣源，所述頂部圓柱體的頂部圓面的外圍開有多個氣浮孔，所述氣浮孔與所述第一通孔相連；

密封圈，所述密封圈套在所述氣浮柱塞桿的第一環(huán)槽上；

導(dǎo)向環(huán)，所述導(dǎo)向環(huán)套在所述氣浮柱塞桿的第二環(huán)槽上；以及

多個螺旋彈簧，所述螺旋彈簧的第一端與所述氣浮柱塞桿相連，第二端與所述氣缸缸體相連。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述氣缸缸體外部的豎直方向開有兩個對稱的第二扁勢面，所述兩個對稱的第二扁勢面上分別開有一第二通孔，所述第二通孔連接所述第二扁勢面與所述透空環(huán)槽，所述氣缸氣源接在所述第二通孔處。

3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述氣缸氣源通過雙向速度控制閥接在所述第二通孔處。

4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述氣缸缸體的頂部開有一缺口。

5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述多個第一通孔中的一個第一通孔與所述氣缸缸體頂部的缺口相對。

6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，還包括一壓環(huán)，所述壓環(huán)為一片狀的圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)，所述壓環(huán)上開有一開口，所述壓環(huán)固定到所述氣缸缸體，使得所述壓環(huán)上的開口與所述氣缸缸體頂部的缺口在同一豎直方向上。

7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述螺旋彈簧的第二端通過所述壓環(huán)與所述氣缸缸體相連。

8.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述氣浮柱塞桿頂部圓柱體的外部開有多個均勻分布的第一扁勢面，所述第一通孔開在所述第一扁勢面上。

9.如權(quán)利要求8所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述每個第一通孔連接兩個氣浮孔，所述第一通孔的深度小于所述頂部圓柱體的直徑。

10.如權(quán)利要求9所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述第一扁勢面的數(shù)量為三個，所述第一通孔的數(shù)量為三個，所述氣浮孔的數(shù)量為六個。

11.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述第一通孔通過不銹鋼快換接頭外接所述氣浮柱塞桿氣源。

12.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述氣浮柱塞桿的底部設(shè)有一減輕孔。

13.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述導(dǎo)向環(huán)為一薄壁圓環(huán)。

14.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合氣浮裝置，其特征在于，所述密封圈為一圓環(huán)結(jié)構(gòu)，其內(nèi)圈的橫截面為多半圓面，外圈的橫截面為矩形面，圓環(huán)的上端面和下端面由圓弧凹槽面組成。

15.一種利用權(quán)利要求1至14中任一項所述的復(fù)合氣浮裝置的硅片臺移動裝置，其特征在于，包括：

承重平臺，所述承重平臺上設(shè)有三個等高柱、兩條導(dǎo)軌以及一連桿副推力結(jié)構(gòu)；

硅片臺，所述硅片臺的底部設(shè)有滾輪副，所述滾輪副在所述導(dǎo)軌上滾動；以及

多個復(fù)合氣浮裝置，所述復(fù)合氣浮裝置固定在所述硅片臺的底部，所述復(fù)合氣浮裝置的氣浮孔與所述承重平臺相對。

16.如權(quán)利要求15所述的硅片臺移動裝置，其特征在于，所述等高柱塊的高度比所述復(fù)合氣浮裝置的厚度大1.5mm。