[實用新型]包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020194035.0 | 申請日： | 2010-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN201732788U | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡文欽;梁偉成 | 申請（專利權(quán)）人： | 美祿科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L29/92;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 張衛(wèi)華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 極性 晶體管 電容 半導(dǎo)體 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，尤指一種可縮小電路面積的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)
雙極性(bipolar)晶體管制程元件具有高互導(dǎo)(transconductance)特性、低1/f噪聲及準(zhǔn)確的Vbe壓降，且可耐高電壓及高電流，開關(guān)速度快，可制作高增益元件，并具有高電流驅(qū)動能力。在線性集成電路(linear?IC)、同時處理數(shù)字(digital)與模擬(analog)訊號的混合訊號(mixed-signal)IC及模擬IC等制程中，雙極性晶體管制程占有絕對優(yōu)勢。
但雙極性晶體管制程元件的集成度較低，元件占用面積較大。習(xí)用的雙極性晶體管及薄枚電容的構(gòu)造如圖1所示。
其主要系于一P型基板(substrate)12上形成一N型外延層(epitaxial?layer，也可譯成磊晶層)14，再于預(yù)定位置分別形成P型埋層(buried?layer)145及絕緣層147，藉以區(qū)隔出復(fù)數(shù)個元件區(qū)。各元件區(qū)中分別于P型基板12與N型外延層14之間形成一N+型埋層141，并依需求分別形成各類元件。例如于一元件區(qū)中形成一集極區(qū)161、一基極區(qū)163及一射極區(qū)165，成為一晶體管，并于覆蓋所有元件的絕緣保護(hù)層149上分別形成對應(yīng)的集極接點162、基極接點164及射極接點166。或于一元件區(qū)中形成第一電極181，并于絕緣保護(hù)層149上形成第二電極183及第一電極接點185，成為一薄枚電容。
由于雙極性晶體管的電流系在N型外延層14中流動，而薄枚電容的第一電極181也是做在外延層14中。為了防止干擾與確保各元件的特性，故需使用P型埋層145與絕緣層147對各元件進(jìn)行區(qū)隔與隔離，造成元件與元件之間無法避免的面積浪費。
另外，此制程的薄枚電容系于N型外延層14的表面形成一薄層(shallow)N+摻雜區(qū)(即第一電極181)后，再進(jìn)氧化爐管中氧化長成絕緣保護(hù)層149。由于此區(qū)域具有高濃度的N+離子，其氧化層很難控制為薄層，故電容值難以做高。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的主要目的，在于提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，尤指一種可縮小電路面積的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件。
本實用新型的另一目的，在于提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，其主要利用晶體管元件間的隔離區(qū)制作薄枚電容，可有效縮小電路面積。
本實用新型的又一目的，在于提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，其薄枚電容可選擇為PIP電容、PIM電容或MIM電容。
本實用新型的又一目的，在于提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，可省略薄枚電容與雙極性晶體管間的隔離絕緣層，藉以減少電路所需的面積。
為達(dá)成上述目的，本實用新型提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，包含有：基板；外延層，形成于該基板上；復(fù)數(shù)個隔離埋層，分別將該外延層隔離為復(fù)數(shù)個元件區(qū)；復(fù)數(shù)個隔離絕緣層，分別形成于各隔離埋層上；復(fù)數(shù)個雙極性晶體管，分別形成于各元件區(qū)中；保護(hù)絕緣層，覆蓋于各元件區(qū)及隔離絕緣層上；至少一薄枚電容，分別形成于該保護(hù)絕緣層上對應(yīng)于隔離緣層的位置。
本實用新型尚可提供一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導(dǎo)體元件，包含有：基板；外延層，形成于該基板上；復(fù)數(shù)個隔離埋層，分別將該外延層隔離為復(fù)數(shù)個元件區(qū)；復(fù)數(shù)個隔離絕緣層，分別形成于各隔離埋層上；復(fù)數(shù)個雙極性晶體管，分別形成于各元件區(qū)中；保護(hù)絕緣層，覆蓋于各元件區(qū)及隔離絕緣層上；至少一薄枚電容，形成于該保護(hù)絕緣層上對應(yīng)于各雙極性晶體管以外的區(qū)域。
本實用新型的優(yōu)點在于不僅可縮小電路面積，且可減少制程步驟，大幅降低制作成本。
附圖說明
圖1為習(xí)用雙極性晶體管及薄枚電容的剖面示意圖；
圖2為本實用新型一較佳實施例的剖面示意圖；
圖3為本實用新型另一實施例的剖面示意圖；
圖4為本實用新型又一實施例的剖面示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
