[實用新型]包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件有效
| 申請號： | 201020194035.0 | 申請日： | 2010-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN201732788U | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發明（設計）人： | 蔡文欽;梁偉成 | 申請（專利權）人： | 美祿科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L29/92;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 張衛華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包含 極性 晶體管 電容 半導體 元件 | ||
1.一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于包含：
基板；
外延層，形成于該基板上；
復數個隔離埋層，分別將該外延層隔離為復數個元件區；
復數個隔離絕緣層，分別形成于各隔離埋層上；
復數個雙極性晶體管，分別形成于各元件區中；
保護絕緣層，覆蓋于各元件區及隔離絕緣層上；
至少一個薄枚電容，形成于該保護絕緣層上對應于隔離絕緣層的位置。
2.如權利要求1所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為多晶硅層-絕緣層-多晶硅層電容。
3.如權利要求1所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為多晶硅層-絕緣層-金屬層電容。
4.如權利要求1所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為金屬層-絕緣層-金屬層電容。
5.如權利要求1所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容的絕緣層可選擇為氧化層或氧化層-氮化層-氧化層。
6.一種包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于包含：
基板；
外延層，形成于該基板上；
復數個隔離埋層，分別將該外延層隔離為復數個元件區；
復數個隔離絕緣層，分別形成于各隔離埋層上；
復數個雙極性晶體管，分別形成于各元件區中；
保護絕緣層，覆蓋于各元件區及隔離絕緣層上；
至少一薄枚電容，形成于該保護絕緣層上對應于各雙極性晶體管以外的區域。
7.如權利要求6所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為多晶硅層-絕緣層-多晶硅層電容。
8.如權利要求6所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為多晶硅層-絕緣層-金屬層電容。
9.如權利要求6所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容為金屬層-絕緣層-金屬層電容。
10.如權利要求6所述的包含雙極性晶體管及薄枚電容的半導體元件，其特征在于：
各薄枚電容的絕緣層為氧化層或氧化層-氮化層-氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
