[實用新型]晶體硅太陽電池的正面電極結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020188424.2 | 申請日: | 2010-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN201796897U | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 章靈軍;王栩生;王立建 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體 太陽電池 正面 電極 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種太陽電池,具體涉及一種晶體硅太陽電池的正面電極結(jié)構(gòu),屬于太陽能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。?
背景技術(shù)
目前,常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟和社會問題,發(fā)展太陽能電池是解決上述問題的途經(jīng)之一。因此,世界各國都在積極開發(fā)太陽電池,而高轉(zhuǎn)換效率、低成本是太陽電池發(fā)展的主要趨勢,也是技術(shù)研究者追求的目標。?
現(xiàn)有的制造晶體硅太陽電池的制造流程為:表面清洗及織構(gòu)化、擴散、清洗刻蝕去邊、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測試。這種商業(yè)化晶體硅電池制造技術(shù)相對簡單、成本較低,適合工業(yè)化、自動化生產(chǎn),因而得到了廣泛應(yīng)用。其中,絲網(wǎng)印刷用于制備電極,N電極位于晶體硅電池的正面,P電極位于晶體硅電池的背面;現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷的正面電極結(jié)構(gòu)如附圖1所示,包括設(shè)于晶體硅片正面的兩條主柵線3和若干條垂直于主柵線的細柵線4,形成晶體硅電池的N電極;其背面P電極結(jié)構(gòu)一般包括2條印刷于硅片背面的銀導(dǎo)體條,形成P電極,N、P電極均需用焊帶引出,從而形成晶體硅太陽電池的互連。?
然而,上述結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽電池存在如下問題:由于晶體硅片正面的兩條主柵線的長度幾乎貫穿整個硅片背面,占據(jù)了較大的面積,使得該正面電極結(jié)構(gòu)遮光面積比較大,理論值在7%左右,從而減少了太陽光的利用率,降低了組件的光電轉(zhuǎn)換效率。?
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型目的是提供一種晶體硅太陽電池的正面電極結(jié)構(gòu),以提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。?
為達到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅太陽電池?的正面電極結(jié)構(gòu),包括晶體硅片,所述晶體硅片的正面設(shè)有至少2個電流收集單元,所述電流收集單元包括電流收集點和收集柵線;所述晶體硅片的電流收集點處設(shè)有通孔,通孔內(nèi)設(shè)有銀漿,銀漿的一端與晶體硅電池正面的電流收集單元連接,另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點。?
上文中,所述電流收集單元的電流收集點優(yōu)選位于收集柵線的中央,所述收集柵線可以是曲線或直線,各電流收集單元可以相互連通或分別獨立。各個電流收集單元可采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印的的方法等距或不等距的分布在電池片的正面。?
所述晶體硅片的電流收集點處的通孔可以采用激光打孔或化學(xué)腐蝕的方法制作。?
優(yōu)選的技術(shù)方案,所述電流收集單元為9~25個,呈點陣排列,均布于晶體硅片的正面。例如,當(dāng)電流收集單元為9個,可以設(shè)成3排,每排3個電流收集單元,各電流收集單元等距分布于晶體硅片的正面。?
上述技術(shù)方案中,所述收集柵線為細銀柵線。?
上文中,所述晶體硅片的邊緣設(shè)有細柵線,該細柵線可以采用閉合或者非閉合連接,并可跨越多個電流收集單元。?
由于上述技術(shù)方案運用,本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點是:?
1、本實用新型在晶體硅片的正面設(shè)置電流收集單元,代替了現(xiàn)有的主柵線和細柵線結(jié)構(gòu),由于電流收集單元占據(jù)的面積較小,理論值在5%左右,從而解決了正面電極結(jié)構(gòu)遮蔽入射光的問題,提高了太陽光的利用率,也相應(yīng)提高了太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。?
2、本實用新型在晶體硅片的電流收集點處設(shè)置通孔,通孔內(nèi)設(shè)有銀漿,從而將晶體硅電池的正面N電極引到背面,即將晶體硅電池的互連放在了一個平面上,既有利于組件的生產(chǎn)操作,增加可靠性;又大幅降低了串聯(lián)電阻,提升了組件的光電轉(zhuǎn)換效率。?
3、本實用新型將電流收集單元設(shè)成點陣結(jié)構(gòu),在實現(xiàn)其引出功能的同時降低了銀漿的消耗量,降低了成本。?
4、本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,便于生產(chǎn)制備,且成本較低,適于推廣應(yīng)用。?
附圖說明
圖1是背景技術(shù)中晶體硅太陽電池的正面電極結(jié)構(gòu)的示意圖;?
圖2是本實用新型實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖3是本實用新型實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖4是本實用新型實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。?
其中:1、電流收集點;2、收集柵線;3、主柵線;4、細柵線。?
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:?
實施例一?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





