[實用新型]晶體硅太陽電池的正面電極結構有效
| 申請號: | 201020188424.2 | 申請日: | 2010-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN201796897U | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 章靈軍;王栩生;王立建 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 太陽電池 正面 電極 結構 | ||
1.一種晶體硅太陽電池的正面電極結構,包括晶體硅片,其特征在于:所述晶體硅片的正面設有至少2個電流收集單元,所述電流收集單元包括電流收集點(1)和收集柵線(2);所述晶體硅片的電流收集點處設有通孔,通孔內設有銀漿,銀漿的一端與晶體硅電池正面的電流收集單元連接,另一端構成電池背面的N電極連接點。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池的正面電極結構,其特征在于:所述電流收集單元為9~25個,呈點陣排列,均布于晶體硅片的正面。
3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池的正面電極結構,其特征在于:所述收集柵線為細銀柵線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





