[實用新型]支撐裝置

無效

• 申請號: 201020180817.9
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN201729879U
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 臺發林;李祥福;張希山;朱紅霞
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種用于支撐面板以及擋板的支撐裝置。

背景技術

在超大規模集成電路(ULSI)制造工藝中，隨著電路尺寸的不斷縮小，開始通過增加淀積層數的方法，在垂直方向上進行拓展。這些增加的層在器件、電路中起到各種不同的作用，主要可作為柵電極、多層布線的層間絕緣膜、金屬布線、電阻、表面鈍化等。對于小圖形，其分辨率受晶片表面的條件影響很大，隨著特征圖形尺寸減小到亞微米級，芯片制造工藝對低缺陷密度的要求越來越迫切，對淀積薄膜的質量要求也越來越高，其厚度的均勻性不僅會影響到后續工藝的正常進行，也會影響到器件的電性能和機械性能，并進而影響到器件的成品率及產量。

所謂沉積是指一種以物理方式沉積在晶片表面上的工藝過程，薄膜淀積的方法包括化學氣相沉積(CVD，Chemical?Vapor?Deposition)法和物理氣相沉積(PVD，Physical?Vapor?Deposition)法兩大類。其中，化學氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學物質在反應室內混合并在氣態下發生反應，其原子或分子淀積在晶片表面聚集形成薄膜的過程。化學氣相沉積因其工藝較為簡單、不需高真空、便于制備復合產物、淀積速率高，以及淀積的各種薄膜具有良好的階梯覆蓋性能等優點在半導體器件的制造中被廣泛使用。

目前，化學氣相沉積有很多種選擇，可以工作在常壓或低壓下，能量供給源也可選用熱輻射或等離子體。但無論是哪一種，均有相同的步驟，將晶片裝入反應室內，并加熱到預定溫度，通入相應的反應氣體，這些反應氣體到達加熱的晶片表面發生化學發生，形成希望形成的薄膜。在化學氣相沉積過程中，為了在晶片表面形成厚度均勻質量較佳的薄膜，必須使反應氣體均勻的到達晶片表面，因此，在化學氣相沉積設備內設置有擋板(blocker?plate)以及面板(faceplate)，所述擋板和擋板均為設置有多個孔的圓形平板，所述面板的直徑較所述擋板的直徑略大，其中，所述擋板首先減緩由外界通入反應室內的反應氣體壓力，并使反應氣體較為均勻的將進入腔室，所述面板則進一步分散所述反應氣體，使所述氣體均勻的到達晶片表面，所述擋板和擋板有利于在晶片表面的各個位置均形成厚度一致的薄膜。

不可避免的，在化學氣相沉積過程中，會在面板和擋板表面積累一些反應物，多次沉積后，這些反應物的脫落就會引起對晶片的沾污，形成缺陷，因此需要經常清洗面板和擋板，以避免污染晶片。在使用專用的清洗液清洗面板和擋板后，需要將清洗后的面板和擋板放入專用的烘箱內進行烘烤，以去除面板和擋板上的水汽，防止這些水汽影響化學氣相沉積工藝的精度。

請參考圖1A至圖1B，其中，圖1A為使用現有的支撐裝置烘焙擋板時的示意圖，圖1B為使用現有的支撐裝置烘焙面板時的示意圖。如圖1A至圖1B所示，在烘烤過程中，需要將擋板20和面板30放置在支撐裝置10上，并在烘箱內通入氮氣，以使所述擋板20和面板30能夠快速的烘干。然而，由于所述支撐裝置10是一金屬平板，擋板20和面板30均需要平放在支撐裝置10之上，在擋板20的底部與支撐裝置10之間，以及面板30的底部與支撐裝置10之間均沒有空隙，因此，氮氣無法吹到擋板20和面板30的底部，導致擋板20和面板30的其它部位已經去除掉水汽后，其底部仍然沒有被烘干，這就需要加長烘焙時間，降低了烘焙效率，且增加了生產成本。

為了解決這個問題，目前通常是在擋板20與支撐裝置10之間，以及面板30與支撐裝置10之間放置多個無塵布(wiper)，以盡可能的使氮氣流入到擋板20和面板30底部，然而，這不僅需要額外使用許多無塵布，增加了生產成本，并且這種方法也僅僅能使少量氮氣吹到擋板20和面板30底部，仍然需要較長的時間才能徹底烘干擋板20以及面板30。

實用新型內容

本實用新型提供一種支撐裝置，以解決在面板和擋板的烘焙過程中，氮氣無法流入到擋板和面板底部，導致烘焙效率低、生產成本高的問題。

為解決上述問題，本實用新型提出一種支撐裝置，所述支撐裝置包括支撐架以及設置于所述支撐架上的多個支撐腳，其中，所述支撐腳的內側面為多級臺階式。

可選的，所述支撐架是由兩個框條構成的十字形狀結構的框架，所述支撐腳設置于所述各框條的兩端，所述支撐腳包括三級臺階，所述支撐腳的數量為四個。

可選的，所述支撐裝置還包括設置在所述支撐架中心的支撐軸。

可選的，所述支撐裝置的材質為耐高溫材料，其中，所述支撐裝置的材質為耐高溫的金屬。

可選的，所述支撐架與所述支撐腳是一體成型結構。