[實用新型]一種平板PECVD氮化硅覆膜系統無效
| 申請號： | 201020179326.2 | 申請日： | 2010-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN201655831U | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 張振厚;趙科新;趙崇凌;李士軍;張健;張冬;洪克超;段鑫陽;徐寶利;鐘福強;陸濤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人： | 張志偉 |
| 地址： | 110168 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種平板PECVD氮化硅覆膜系統，其特征在于：該系統設有裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I和卸載腔II，裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I和卸載腔II為模塊化的五個腔體，裝載腔I和裝載腔II相通，裝載腔II和工藝腔相通，工藝腔和卸載腔I相通，卸載腔I和卸載腔II相通。
2.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統，其特征在于：裝載腔I的外側依次設置雙裝載臺和進載臺，卸載腔II的外側依次設置雙卸載臺和出載臺。
3.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統，其特征在于：還包括真空抽氣系統I、真空抽氣系統II和真空抽氣系統III，真空抽氣系統I分別與裝載腔I和裝載腔II連通，真空抽氣系統II與工藝腔連通，真空抽氣系統III分別與卸載腔I和卸載腔II連通。
4.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統，其特征在于：裝載腔I、卸載腔II分別與潔凈空氣回填系統連通。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
