[實用新型]一種平板PECVD氮化硅覆膜系統無效
| 申請號: | 201020179326.2 | 申請日: | 2010-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN201655831U | 公開(公告)日: | 2010-11-24 |
| 發明(設計)人: | 張振厚;趙科新;趙崇凌;李士軍;張健;張冬;洪克超;段鑫陽;徐寶利;鐘福強;陸濤 | 申請(專利權)人: | 中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 張志偉 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及氮化硅(SiNx)薄膜領域,具體為一種平板PECVD氮化硅覆膜系統。
背景技術
為了提高光伏晶硅電池光電轉換效率和使用壽命,提高光伏電池的光吸收率,在光伏晶硅電池表面制備減反射薄膜主要采用等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD),同時還起到體鈍化和面鈍化作用,降低光伏電池組件的衰減速度,等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD)是制備薄膜材料的幾種方法中技術最為成熟、操作較為簡單的一種,聯續自動化生產。現階段在光伏生產領域使用的制備氮化硅薄膜的設備有兩種,一種為管式結構的PECVD設備,這種結構的設備單次生產時間過長,導致產量很低,沒有聯續生產的能力。另一種為進口多腔室平板式PECVD設備,可以實現自動化生產,但非模塊化設計,成本很高。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種平板PECVD氮化硅覆膜系統,解決現有技術中存在的生產時間長、成本較高等問題。本實用新型采用模塊化設計的五腔室在真空條件下工作的SD50大型平板PECVD氮化硅覆膜系統,可根據現場需要選配電池片機械手,最終實現全自動無人化生產運行。
本實用新型的技術方案是:
一種平板PECVD氮化硅覆膜系統,該系統設有裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I和卸載腔II,裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I和卸載腔II為模塊化的五個腔體,裝載腔I和裝載腔II相通,裝載腔II和工藝腔相通,工藝腔和卸載腔I相通,卸載腔I和卸載腔II相通。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,裝載腔I的外側依次設置雙裝載臺和進載臺,卸載腔II的外側依次設置雙卸載臺和出載臺。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,還包括真空抽氣系統I、真空抽氣系統II和真空抽氣系統III,真空抽氣系統I分別與裝載腔I和裝載腔II連通,真空抽氣系統II與工藝腔連通,真空抽氣系統III分別與卸載腔I和卸載腔II連通。
所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,裝載腔I、卸載腔II分別與潔凈空氣回填系統連通。
本實用新型的有益效果是:
1、本實用新型包括進載臺、雙裝載臺、裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I、卸載腔II、雙卸載臺、出載臺、潔凈空氣回填系統、真空抽氣系統、氣路系統、電控系統、自控系統及各輔助系統等,采用高產量、模塊化設計,它是可根據用戶量身定做的一種模塊化五腔室(裝載腔I、裝載腔II、工藝腔、卸載腔I和卸載腔II)在真空條件下工作的SD50大型平板PECVD氮化硅覆膜系統,產能比原有的高出1.47倍。
2、本實用新型在工作的情況下,同樣能達到管式PECVD和進口平板式PECVD的技術指標,例如:
(1)可無人全自動或手動實現光伏電池片氮化硅(SiNx)薄膜制備,全程用工業微機實現自動控制;
(2)每千萬成本降低到70%;
(3)高產量50MW/年(2750片/每小時);
(4)膜厚均勻性片內(125mm×125mm)≤±2.5%,片間≤±4%,批間≤±4%;
(5)折射率范圍:2.0~2.1批次的一致性:±1.5%;
(6)具有完善的報警功能及安全互鎖裝置;
(7)快速冷卻;
(8)成膜溫度400~450℃連續可調;
(9)可根據用戶量身定制多腔體多工位組合,適用于各種光伏晶硅片薄膜制備。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。圖中,1進載臺;2雙裝載臺;3潔凈空氣回填系統;4裝載腔I;5裝載腔II;6真空抽氣系統I;7工藝腔;8真空抽氣系統II;9卸載腔I;10卸載腔II;11真空抽氣系統III;12雙卸載臺;13出載臺;14管道。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型的結構和原理作進一步詳細說明。
如圖1所示,本實用新型平板PECVD氮化硅覆膜系統,主要包括:進載臺1、雙裝載臺2、潔凈空氣回填系統3、裝載腔I?4、裝載腔II?5、真空抽氣系統I?6、工藝腔7、真空抽氣系統II?8、卸載腔I?9、卸載腔II?10、真空抽氣系統III?11、雙卸載臺12和出載臺13等,具體結構如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





