[實(shí)用新型]一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020166501.4 | 申請日： | 2010-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN201655812U | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽能電池 表面 三層 鈍化 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于：所述減反膜是在硅片襯底(1)表面上沉積一層第一氮化硅薄膜(2)，在第一氮化硅薄膜(2)表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜(3)，再在第二氮化硅薄膜(3)表面上沉積一層二氧化硅薄膜(4)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于：所述的第一氮化硅薄膜(2)的厚度為10～50納米，折射率為2.5～3.0。
3.如權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于：所述的第二氮化硅薄膜(3)的厚度為30～100納米，折射率為1.8～2.2。
4.如權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，其特征在于：所述的二氧化硅薄膜(4)的厚度為5～200納米，折射率為1.1～2.0。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
