[實用新型]一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜

有效

• 申請號: 201020166501.4
• 申請日: 2010-04-20
• 公開（公告）號: CN201655812U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 陳亮
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其是一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜。

背景技術

太陽能電池工藝中，表面減反膜的工藝是很重要的一步，它直接決定了太陽能電池能吸收了多少太陽光。

傳統的太陽能電池表面減反膜是采用氮化硅薄膜，氮化硅作為表面減反膜的特點是，工藝簡單，易于產業化生產，成本較低，但缺點也很明顯是：氮化硅作為減反膜在電池和組件上，氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時匹配到最佳值，導致組件端在封裝后存在一定的封裝損失；同時由于主要考慮氮化硅薄膜的光學性能，因此在鈍化效果上也無法達到最佳，造成電池效率一定程度上的損失；而且傳統的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設計上，從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異，所以需要一種新的減反膜設計來減少這種差異造成的損失。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是：為了降低太陽電池表面的反射率，提高鈍化效果，并使之能與組件相匹配，減少組件封裝損失，本實用新型提供一種一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，該減反膜是在硅片襯底表面上沉積一層第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉積一層二氧化硅薄膜。

為了使太陽能電池表面的鈍化效果提高，第一氮化硅薄膜的厚度為10～50納米，折射率為2.5～3.0。

為了降低太陽能電池表面的折射率，第二氮化硅薄膜的厚度為30～100納米，折射率為1.8～2.2。

為了使得封裝后不因折射率不匹配而造成光學損失，二氧化硅薄膜的厚度為5～200納米，折射率為1.1～2.0。

本實用新型的有益效果是，本實用新型采用了多層增透膜設計，可以提高太陽能電池表面鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率。二氧化硅薄膜的折射率與組件封裝材料EVA及玻璃的折射率基本相同，所以封裝后不會因折射率不匹配而造成的光學損失，二氧化硅薄膜與EVA材料性質相同，在組件層壓時，界面處會有更好的接合，由于第二氮化硅薄膜及二氧化硅薄膜的存在，使得第一氮化硅薄膜在工藝設計時可以充分考慮鈍化效果，使太陽電池的表面鈍化效果提高，從而提升電池效率。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜的結構示意圖。

圖中：1.硅片襯底，2.第一氮化硅薄膜，3.第二氮化硅薄膜，4.二氧化硅薄膜。

具體實施方式

現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。

如圖1所示的本實用新型一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜的實施例，一種太陽能電池表面三層減反鈍化膜，是在硅片襯底1表面上沉積一層第一氮化硅薄膜2，在第一氮化硅薄膜2表面上再沉積一層第二氮化硅薄膜3，再在第二氮化硅薄膜3表面上沉積一層二氧化硅薄膜4，形成三層減反膜。其制作的方法如下：

第一步，在制絨后的硅片襯底1表面上用等離子體化學氣相沉積法(PECVD)沉積一層第一氮化硅薄膜2，該層的厚度為20納米，折射率為2.5，是作為太陽電池表面的鈍化層，同時再配合上面的其他兩層薄膜結構形成高效減反結構；

第二步，在第一氮化硅薄膜2表面上用等離子體化學氣相沉積法(PECVD)再沉積一層第二氮化硅薄膜3，該層的厚度為40納米，折射率為1.9，主要作用是匹配折射率，增加電池表面的光吸收；

第三步，將前面制作好的表面清洗、制絨、擴散，再在第二氮化硅薄膜3表面上用等離子體化學氣相沉積法(PECVD)沉積一層二氧化硅薄膜4，該層的厚度為50納米，折射率為1.46，主要作用是形成表面減反結構，使三層膜配合形成一套完整的表面減反結構。

以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。