[實用新型]氮化硅生坯球徑向壓制模具裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020162299.8 | 申請日: | 2010-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN201659613U | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董海明;劉彤 | 申請(專利權(quán))人: | 德隆高性能陶瓷(大連)有限公司;環(huán)宇高熱能材料(大連)有限公司 |
| 主分類號: | B28B3/26 | 分類號: | B28B3/26;B28B7/00 |
| 代理公司: | 大連非凡專利事務(wù)所 21220 | 代理人: | 曲寶威 |
| 地址: | 116600 遼寧*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 生坯 徑向 壓制 模具 裝置 | ||
1.一種氮化硅生坯球徑向壓制模具裝置,其特征在于:有固定設(shè)置的下模桿(12)和與中模升降機(jī)構(gòu)相接的中模(11),中模(11)上設(shè)有中???16),下模桿(12)的上部插入中???16)內(nèi),與中???16)相配有上模桿(10),上模桿(10)與上底板(9)相接,在上模桿(10)的下端設(shè)有半球狀上模腔(14),在下模桿(12)的上端設(shè)有半球狀下模腔(15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅生坯球徑向壓制模具裝置,其特征在于:所述的下模桿(12)的下端與下模體(4)固定連接,下模體(4)與基板(3)固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅生坯球徑向壓制模具裝置,其特征在于:所述的中模(11)固定在中模體(5)的中心孔內(nèi),中模體(5)與中模架導(dǎo)柱(2)的上端固定連接,中模架導(dǎo)柱(2)插裝在基板(3)上的導(dǎo)柱孔內(nèi),中模架導(dǎo)柱(2)的下端與中模架底板(1)固定連接,中模架底板(1)接升降油缸(13)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化硅生坯球徑向壓制模具裝置,其特征在于:所述的上底板(9)與上模導(dǎo)柱(8)的上端相接,上模導(dǎo)柱(8)插裝在中模體(5)上的導(dǎo)柱孔內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德隆高性能陶瓷(大連)有限公司;環(huán)宇高熱能材料(大連)有限公司,未經(jīng)德隆高性能陶瓷(大連)有限公司;環(huán)宇高熱能材料(大連)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020162299.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法





