[實用新型]一種晶體硅太陽電池的背面電極結構

有效

• 申請號: 201020122040.0
• 申請日: 2010-02-26
• 公開（公告）號: CN201608193U
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 章靈軍;王栩生;王立建
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司
• 主分類號: H01L31/05
• 分類號: H01L31/05;H01L31/0224
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

技術領域

本實用新型涉及一種太陽電池，具體涉及一種晶體硅太陽電池的背面電極結構，屬于太陽能應用技術領域。

背景技術

目前，常規能源的持續使用帶來了能源緊缺以及環境惡化等一系列經濟和社會問題，發展太陽能電池是解決上述問題的途經之一。因此，世界各國都在積極開發太陽電池，而高轉換效率、低成本是太陽電池發展的主要趨勢，也是技術研究者追求的目標。

現有的制造晶體硅太陽電池的制造流程為：表面清洗及織構化、擴散、清洗刻蝕去邊、鍍減反射膜、絲網印刷、燒結形成歐姆接觸、測試。這種商業化晶體硅電池制造技術相對簡單、成本較低，適合工業化、自動化生產，因而得到了廣泛應用。其中，絲網印刷用于制備電極，N電極位于晶體硅電池的正面，P電極位于晶體硅電池的背面，其背面P電極結構如附圖1所示，包括晶體硅片和2條印刷于硅片背面的銀導體條11，銀導體條相隔對稱分布于硅片背面且其長度幾乎貫穿整個硅片背面，在硅片正面則印刷銀漿形成晶體硅電池的N電極，N、P電極均需用焊帶引出，從而形成晶體硅太陽電池的互連。

然而，上述結構的晶體硅太陽電池存在如下問題：(1)采用焊帶將晶體硅電池正面N電極引出的設計，焊帶和N電極會遮掉部分入射光，減少了太陽光的利用率；(2)晶體硅電池的互連是用焊帶將一片電池的N電極與另一片電池的P電極相連接，也就是從一片電池的背面連接到另一片電池的正面，從而大幅增加了串聯電阻，降低了組件的光電轉換效率，且會在晶體硅電池的邊緣引入應力，造成組件的失效。

發明內容

本實用新型目的是提供一種晶體硅太陽電池的背面電極結構，以提高太陽電池的光電轉換效率。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種晶體硅太陽電池的背面電極結構，包括晶體硅片和N、P電極，所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點至少為3排，每排具有至少3個連接點；所述P電極連接點至少為2排，每排具有至少3個連接點；所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設有通孔，通孔內設有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結構連接，另一端構成所述N電極連接點。

上文中，所述N電極連接點可以通過該連接點處的孔內的銀漿與正面電極結構連接，而孔可以采用激光打孔的方法制作。上述N、P連接點均可用絲網印刷的方法制備。

進一步的技術方案，所述N電極連接點為4排，每排4個；所述P電極連接點為3排，每排5個，各排連接點等間距分布于晶體硅電池的背面。

上述技術方案中，所述各連接點為圓形、正方形或三角形。當然也可以采用一些其他現有形狀。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有的優點是：

1、本實用新型將晶體硅電池的正面N電極引到背面，與背面P電極一起構成背面電極結構，從而解決了焊帶和正面N電極遮蔽入射光的問題，提高了太陽光的利用率，也相應提高了太陽電池的光電轉換效率。

2、本實用新型將N、P電極置于晶體硅電池的背面，從而將晶體硅電池的互連放在了一個平面上，既有利于組件的生產操作，增加可靠性；又大幅降低了串聯電阻，提升了組件的光電轉換效率。

3、本實用新型將N、P電極連接點設成點陣結構，在實現其引出功能的同時降低了銀漿的消耗量，降低了成本。

4、本實用新型結構簡單，便于生產制備，且成本較低，適于推廣應用。

附圖說明

圖1是背景技術中晶體硅太陽電池的背面電極結構的示意圖；

圖2是本實用新型實施例一的結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例二的結構示意圖；

圖4是本實用新型實施例三的結構示意圖。

其中：11、銀導體條；21、N電極連接點；22、P電極連接點；31、N電極連接點；32、P電極連接點；41、N電極連接點；42、P電極連接點。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例一

參見圖2所示，一種晶體硅太陽電池的背面電極結構，包括晶體硅片和N、P電極，所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點21為4排，每排4個；所述P電極連接點22為3排，每排5個，所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設有通孔，通孔內設有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結構連接，另一端構成所述N電極連接點。所述各連接點為圓形。

實施例二