[實用新型]一種晶體硅太陽電池的背面電極結構有效

申請號：	201020122040.0	申請日：	2010-02-26
公開（公告）號：	CN201608193U	公開（公告）日：	2010-10-13
發明（設計）人：	章靈軍;王栩生;王立建	申請（專利權）人：	蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司
主分類號：	H01L31/05	分類號：	H01L31/05;H01L31/0224
代理公司：	蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103	代理人：	陶海鋒
地址：	215129 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種晶體太陽電池背面電極結構
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【權利要求書】：

1.一種晶體硅太陽電池的背面電極結構，包括晶體硅片和N、P電極，其特征在于：所述N、P電極均呈點陣排列，所述N電極連接點(21)至少為3排，每排具有至少3個連接點；所述P電極連接點(22)至少為2排，每排具有至少3個連接點；所述N、P電極交錯均布于晶體硅電池的背面，所述N電極連接點處設有通孔，通孔內設有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池的正面電極結構連接，另一端構成所述N電極連接點。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池的背面電極結構，其特征在于：所述N電極連接點為4排，每排4個；所述P電極連接點為3排，每排5個，各排連接點等間距分布于晶體硅電池的背面。

3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池的背面電極結構，其特征在于：所述各連接點為圓形、正方形或三角形。

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