[發明專利]山核桃胚根不定芽誘導和生根培養基及組培方法無效
| 申請號: | 201019146041.0 | 申請日: | 2010-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101785432A | 公開(公告)日: | 2010-07-28 |
| 發明(設計)人: | 張啟香;黃堅欽;王正加;黃有軍;胡恒康 | 申請(專利權)人: | 浙江林學院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 周烽 |
| 地址: | 311300 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 山核桃 胚根 不定 誘導 生根 培養基 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種以山核桃幼胚為外植體,發育形成胚根,繼 而形成不定芽、誘導生根的培養基及組培方法。
背景技術
山核桃(Carya?cathayensis?Sarg.)是胡桃科山核桃屬的果、 木兼用的優良經濟樹種,在自然環境下,山核桃靠種子繁殖。山 核桃干果可加工成各種特色風味食品、保健品,山核桃含油率高 達70%~74%,富含不飽和脂肪酸,含粗蛋白7.8%~9.6%和含K、 Ca、Mg、Na等人體所必須的礦質元素。山核桃木質堅硬、紋 理美、抗腐蝕,在軍工、船舶和建筑業用途廣泛,是我國一種十 分優良的經濟樹種。但山核桃樹的分布區域狹窄,為我國的特有 樹種,且只有浙江西北山地和交界的皖南山地有所分布。需求旺、 產品少的矛盾突出。長期以來,山核桃的繁殖主要是實生和嫁接 繁殖,實生繁殖難以保持品種的優良特性。山核桃又因富含單寧, 切口極易氧化褐變,對嫁接的技術要求較高,而且嫁接又要受季 節和氣候的限制,繁殖速度難以滿足生產發展的需求。
林學界,眾多學者對山核桃的繁殖作了許多新的探索和嘗 試,如黃有軍先生的幼樹的根插繁殖技術、裴東等先生對核桃的 試管嫩莖生根技術及幼樹的根插繁殖技術等,各對社會作出了有 益的貢獻。經檢索,至今未發現通過山核桃幼胚經試管培育不定 芽并繁殖生根育成植株的相關報道。
發明內容
針對山核桃樹種的經濟價值越來越被人們認識,發展山核桃 生產的熱情自發涌動,依靠傳統的實生繁殖和嫁接繁殖,從質量 和數量上均無法滿足現實的需求,為此,本發明要解決的技術問 題是提供一種以山核桃幼胚為外植體,誘導胚根發育、不定芽形 成和不定芽生根的培養基及組培方法。
本發明的技術問題通過如下技術方案解決:
1.本山核桃胚根不定芽誘導和生根培養基,包括不同誘導時 期的四種培養基,各種培養基的原料及其附加量分別是:
(1)初代培養基:以MS為基本培養基,附加蔗糖20~30g/L、 Agar?type?A即瓊脂A?6.5~8.5g/L,培養基的pH值為5.7;
(2)胚根不定芽誘導培養基:MS附加蔗糖20~30g/L、瓊脂 A?6.5~8.5g/L、Picloram即4-氨基-3,5,6-三氯吡啶羧酸 0.01mg/L、6-BA即6-氨基腺嘌呤1.0~3.0mg/L,pH值5.7;
(3)不定芽增殖培養基:MS附加蔗糖20~30g/L、瓊脂A 6.5~8.5g/L、Picloram0.01~0.02mg/L、6-BA1~2mg/L,pH值為5.7;
(4)不定芽生根培養基:MS附加蔗糖20~30g/L,瓊脂A 6.5~8.5g/L、IAA即吲哚乙酸0.3~0.8mg/L,pH值5.7。
用上述的培養基進行山核桃胚根不定芽誘導及生根的組培 方法經過下列步驟:
(1)外植體采集與消毒:選取健壯的山核桃開花后100~120 天所結的幼果,依次進行自來水沖洗2h,超凈工作臺上用75% 乙醇滅菌3min,無菌水沖洗3~4次,濃度為0.525%的NaClO 滅菌20min并抽真空,無菌水沖洗5次后,用滅菌濾紙吸干表 面水分,并剝去革質果皮,取出幼胚待用;
(2)初代培養:將步驟(1)無菌條件下取出的幼胚接入前述 的初代培養基中,每天轉接1次;3天后改為每3天轉接一次, 每次均轉接至相同的新鮮培養基中,共轉接三次,其中前7天置 于暗柜中培養,后5天置于光暗周期為光16h/暗8h的條件下培 養。培養溫度為25±2℃;
(3)胚根不定芽誘導:將初代培養后胚根發育良好的幼胚接 入前述的胚根不定芽誘導培養基中,經過30d的誘導,獲得不定 芽。微電腦時控開關控制培養室每日光照時間,每日光暗周期為 光16h/暗8h,光照強度為40~50μmol?m-2s-1,培養溫度為25±2℃;
(4)不定芽增殖培養:將獲得的不定芽在前述的不定芽增殖 培養基上進行增殖培養,30天繼代1次,共繼代3次,增殖系 數為5~8。光照培養,光暗周期為光16h/暗8h,光照強度為 40~50μmol?m-2s-1,培養溫度為25±2℃;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江林學院,未經浙江林學院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201019146041.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:可實現太陽能發電的射電望遠鏡
- 下一篇:一種低稀土高強度鎂鋰合金及其制備方法





