[發明專利]一種二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構

無效

• 申請號: 201019087047.5
• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號: CN101840918A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 蔣苓利;張波;樊航;喬明;劉娟;韓山明;鐘昌賢
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/74;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，包括：位于半導體襯底基片(1)上的兩種導電類型的阱區：第一導電類型阱區(2)和第二導電類型阱區(3)；位于第一個第一導電類型阱區(2)內的兩個重摻雜區：第一導電類型重摻雜區(8)和第二導電類型重摻雜區(7)；位于第二導電類型阱區(3)內的兩個重摻雜區：第一導電類型重摻雜區(6)和第二導電類型重摻雜區(5)；與第一個第一導電類型阱區(2)內的兩個重摻雜區表面接觸的第一電極；與第二導電類型阱區(3)內的兩個重摻雜區表面接觸的第二電極；其特征在于，該保護電路結構還包括第二個第一導電類型阱區(4)，所述第二個第一導電類型阱區(4)與第一個第一導電類型阱區(2)相連并將第二導電類型阱區(3)包圍或夾在中間，且第二導電類型阱區(3)內的第二導電類型重摻雜區(5)的一部分位于第二導電類型阱區(3)內，另一部分位于第二個第一導電類型阱區(4)內。

2.根據權利要求1所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，在第一個第一導電類型阱區(2)內增加一個與已有的兩個重摻雜區不相連的第一導電類型重摻雜區(9)，同時在第二個第一導電類型阱區(4)內增加一個與已有的重摻雜區不相連的第一導電類型重摻雜區(10)；并將兩個增加的第一導電類型重摻雜區(9和10)采用金屬線互連。

3.根據權利要求1或2所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極。

4.根據權利要求1或2所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極。

5.根據權利要求1或2所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，所述半導體襯底基片(1)為外延P型襯底、外延N型襯底或具有SiO2埋層的襯底。

6.根據權利要求3所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，所述半導體襯底基片(1)為外延P型襯底、外延N型襯底或具有SiO2埋層的襯底。

7.根據權利要求3所述的二極管觸發的可控硅整流式靜電釋放保護電路結構，其特征在于，所述半導體襯底基片(1)為外延P型襯底、外延N型襯底或具有SiO2埋層的襯底。