[發明專利]一種可減少缺陷的顯影方法

無效

• 申請號: 201019063040.X
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN101770185A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 李鋼
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種可減少缺陷的顯影方法。

背景技術

光刻工藝是指將掩膜圖形轉移到襯底表面光刻膠上的技術，是半導體工藝中使用最頻繁和最關鍵的工藝之一。光刻工藝主要包括涂膠、前烘、曝光和顯影等工藝步驟，為提高制造效率，曝光和顯影工藝均采用了掃描的方式進行。在進行顯影時，需提供如圖1和圖2所示的顯影模塊，如圖所示，該顯影模塊包括承片臺10和顯影噴頭11，該顯影噴頭11懸置在承片臺10上。在如圖1和圖2所示的顯影模塊上進行顯影時，表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓2設置在承片臺10上，驅動顯影噴頭11沿圖1和圖2所示的箭頭方向掃描噴涂顯影液，其掃描噴涂的速度為55至85mm/s；之后靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應，現有技術該預設時段范圍為45至55s。

通過上述現有顯影工藝顯影的晶圓2表面易出現缺陷，掃描噴涂速度分別為55和85mm/s時顯影后的晶圓2表面的缺陷特別多，其缺陷分別如圖3和圖4所示，該掃描噴涂速度范圍已不能滿足半導體加工對良品率的要求；當延長預設時段至72s時，顯影后的晶圓2表面的缺陷有效降低，但延長靜置的時間會降低產量，會使已成為半導體制造工藝瓶頸的顯影工藝進一步影響產量。通過延長靜置時間來改善掃描工藝對晶圓2表面缺陷的影響已不具有可行性。

經綜合分析，低至55mm/s的掃描速度可能造成顯影液過多而濺污顯影噴頭進而造成缺陷較多，高至85mm/s的掃描速度可能造成顯影液過少而導致顯影不足進而造成缺陷較多。

因此，如何提供一種可減少缺陷的顯影方法以有效減少顯影工藝所造成的缺陷，并有效優化顯影工藝和確保顯影效率，已成為業界亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可減少缺陷的顯影方法，通過所述顯影方法可減小因顯影所產生的缺陷，并有效優化顯影工藝和確保顯影效率。

本發明的目的是這樣實現的：一種可減少缺陷的顯影方法，包括以下步驟：a、提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，該顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭；b、將該晶圓設置在該承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液；c、靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應；在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。

在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為65mm/s。

在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為70mm/s。

在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為75mm/s。

在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟c中，該預設時段范圍為44至55s。

在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟c中，該預設時段為50s。

與現有技術中較寬范圍的顯影掃描速度易導致晶圓表面顯影所造成的缺陷較多相比，本發明的可減少缺陷的顯影方法在不降低顯影效率的前提下優化了顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍，使其從原來的55至85mm/s優化至65至75mm/s，如此可避免掃描速度較低所造成的顯影液過多而濺污顯影噴頭并導致缺陷較多的現象，也可避免掃描速度較高所造成的顯影液過少而造成顯影不足和缺陷較多的現象，本發明在不降低顯影效率的情況下有效提高顯影質量。

附圖說明

本發明的可減少缺陷的顯影方法由以下的實施例及附圖給出。

圖1為進行顯影時的顯影模塊的立體示意圖；

圖2為進行顯影時的顯影模塊的正視示意圖；

圖3和圖4分別為圖1和圖2中的顯影噴頭的掃描噴涂速度分別為55和85mm/s時的顯影后晶圓的缺陷示意圖；

圖5為發明的可減少缺陷的顯影方法的流程圖；

圖6至圖8分別為圖1和圖2中的顯影噴頭的掃描噴涂速度分別為65、70和75mm/s時的顯影后晶圓的缺陷示意圖。

具體實施方式

以下將對本發明的可減少缺陷的顯影方法作進一步的詳細描述。

參見圖5，其顯示了本發明的可減少缺陷的顯影方法的流程圖，如圖所示，本發明的可減少缺陷的顯影方法首先進行步驟S50，提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，所述顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭。所述顯影模塊如圖1和圖2所示，所述顯影模塊包括承片臺10和顯影噴頭11，所述顯影噴頭11懸置在承片臺10上。

接著繼續步驟S51，將所述晶圓設置在所述承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液，掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。