[發明專利]一種可減少缺陷的顯影方法無效
| 申請號： | 201019063040.X | 申請日： | 2010-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN101770185A | 公開（公告）日： | 2010-07-07 |
| 發明（設計）人： | 李鋼 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/30 | 分類號： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 缺陷 顯影 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種可減少缺陷的顯影方法，包括以下步驟：a、提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，該顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭；b、將該晶圓設置在該承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液；c、靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應；其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。
2.如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為65mm/s。
3.如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為70mm/s。
4.如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度為75mm/s。
5.如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟c中，該預設時段范圍為44至55s。
6.如權利要求5所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟c中，該預設時段為50s。
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