[發(fā)明專(zhuān)利]一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲(chǔ)電路接口電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010622696.3 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102034525A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柏娜;龔展立;仇名強(qiáng);李瑞興;吳維奇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C11/40 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 南京天翼專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 210096*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高密度 高魯棒性 閾值 存儲(chǔ) 電路 接口 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲(chǔ)電路接口電路，用于從超閾值區(qū)域到亞閾值區(qū)域的連接，其特征是包括一個(gè)PMOS管P1，三個(gè)NMOS管N1、N2、N3，所述四個(gè)晶體管構(gòu)成施密特反相器，具體為：PMOS管P1和兩個(gè)NMOS管N1、N2的柵端與輸入端Vin連接；PMOS管P1的源端接電源電壓Vdd，漏端與NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的柵端連接在一起，并連接到輸出端Vout；PMOS管P1的體端接電源電壓Vdd；NMOS管N1、N2、N3的體端各自均連接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端連接在一起；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接電源電壓Vdd。
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