[發明專利]一種提高離子阱碰撞誘導解離性能的方法及裝置

有效

• 申請號: 201010622405.0
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102103974A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 劉立鵬;吳文明;朱文明;鄭毅;邱明;甘劍勤;吳先偉
• 申請（專利權）人: 聚光科技(杭州)股份有限公司
• 主分類號: H01J49/42
• 分類號: H01J49/42;H01J49/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種提高離子阱性能的方法及裝置，尤其是一種提高離子阱碰撞誘導解離性能的方法及裝置。

背景技術

多級質譜分析是離子阱質譜儀的一項重要功能，在涉及物質結構分析的基因組學、蛋白組學以及制藥等領域中具有舉足輕重的地位。同時，多級質譜分析功能是離子阱質譜儀相對于其他質譜儀的優勢之一。

多級質譜分析過程如下：首先通過對目標離子(或母離子)進行隔離，然后通過碰撞誘導解離(Collision?Induced?Dissociation，CID)使母離子裂解，裂解后得到的碎片離子被稱為子離子。子離子還可進行相同的隔離和CID過程。通過對離子CID后得到的碎片離子就可以分析出離子的結構，獲得更大量的信息。

目前，離子阱理論已非常成熟，這里只簡要介紹與CID有關的理論。對于一個徑向半徑為r₀、軸向半徑為z₀的三維離子阱，其穩定圖參數a_z和q_z定義如下：

az=-16eUm(r02+2z02)Ω2---(1)]]>

qz=8eVm(r02+2z02)Ω2---(2)]]>

其中束縛參數包括離子阱電極上施加的直流電壓U，射頻電壓的幅度V及射頻電壓的角頻率Ω。

離子在離子阱中的共振頻率ω(secular?frequency記作ω)與a_z和q_z直接相關，一般引入參數β來描述離子共振頻率與射頻電壓頻率Ω的關系，如下式所示：

ω=12βΩ---(3)]]>