[發(fā)明專利]一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置

有效

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• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102103974A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉立鵬;吳文明;朱文明;鄭毅;邱明;甘劍勤;吳先偉
• 申請（專利權(quán)）人: 聚光科技(杭州)股份有限公司
• 主分類號: H01J49/42
• 分類號: H01J49/42;H01J49/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，所述離子阱包括端電極；其特征在于：

對離子進行CID的過程中，施加在所述端電極上的電壓信號包含兩個或兩個以上的頻率成分，其中具有處于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]內(nèi)的頻率成分，f(kHz)是要進行CID的離子的共振頻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：所述電壓信號是具有頻率范圍的寬頻信號，該寬頻信號包含了該頻率范圍內(nèi)的所有頻率成分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：所述電壓信號可通過對白噪聲信號進行帶通濾波得到。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：在所述電壓信號中，頻率成分是離散的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：所述電壓信號是頻率隨時間變化的掃頻信號，該掃頻信號的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：在CID過程中，所述掃頻信號出現(xiàn)兩次或兩次以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：頻率隨時間變化的關(guān)系是線性或非線性的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：當頻率隨時間變化的關(guān)系是非線性時，對每一個頻率成分設(shè)置時間權(quán)重。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法，其特征在于：與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時間權(quán)重比其它頻率成分要大。

10.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，所述離子阱包括端電極，所述裝置包括：

信號發(fā)生器，信號發(fā)生器產(chǎn)生的電壓信號施加到所述端電極上；所述電壓信號包括兩個或兩個以上頻率成分，其中具有處于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]內(nèi)的頻率成分，f(kHz)是要進行CID的離子的共振頻率。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：所述電壓信號是具有頻率范圍的寬頻信號，該寬頻信號包含了該頻率范圍內(nèi)的所有頻率成分。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：在所述電壓信號中，頻率成分是離散的。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：所述電壓信號是頻率隨時間變化的掃頻信號，該掃頻信號的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：在CID過程中，所述掃頻信號出現(xiàn)兩次或兩次以上。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：頻率隨時間變化的關(guān)系是線性或非線性的。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：當頻率隨時間變化的關(guān)系是非線性時，對每一個頻率成分設(shè)置時間權(quán)重。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置，其特征在于：與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時間權(quán)重比其它頻率成分要大。