[發明專利]一種離子注入束線法拉第無效
| 申請號: | 201010621903.3 | 申請日: | 2010-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN102569117A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 曹遠翔;唐景庭;劉世勇;胡寶富;林萍;李慧 | 申請(專利權)人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01J37/317 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 101111 北京市中關村科*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離子 注入 法拉第 | ||
1.一種離子注入束線法拉第,其特征在于:安裝法蘭(1)、絕緣安裝板(2)、燃燒傳感器(3)、杯測束底板(4)、拆裝導桿孔(5)、杯框(6)、旋轉軸(7)、氣缸(8)。
2.如權利要求1所述的一種離子注入束線法拉第,其特征在于:旋轉軸(7)連接杯測束底板(4),其旋轉動作由氣缸(8)帶動完成。
3.如權利要求1所述的一種離子注入束線法拉第,其特征在于:拆裝導桿孔(5)處在安裝法蘭(1)上,所述的拆裝導桿孔(5)主要作用是方便裝置的拆裝有保護裝置在拆裝過程中的不至損壞。
4.如權利要求1所述的一種離子注入束線法拉第,其特征在于:杯測束底板(4)安裝中心位置杯框(6)內安裝燃燒傳感器(3),主要作用是用于檢測杯測束底板(4)束流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





