[發(fā)明專利]用于形成半導(dǎo)體層的方法和用于制造發(fā)光器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010621008.1
• 申請日: 2010-12-24
• 公開（公告）號: CN102157631A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜大成;韓尚勛
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2010年2月11日提交的韓國專利申請No.10-2010-0012759的優(yōu)先權(quán)，在此全部引用以供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

實施例涉及用于形成半導(dǎo)體層的方法和用于制造發(fā)光器件的方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是一種用于將電流轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體發(fā)光二極管。

從LED發(fā)射的光的波長取決于在制造LED中使用的半導(dǎo)體材料。其主要原因是根據(jù)半導(dǎo)體材料的帶隙改變被發(fā)射光的波長，所述半導(dǎo)體材料的帶隙表示價帶的電子和導(dǎo)帶的電子之間的能量差。

最近，隨著LED的亮度逐漸地增加，LED被廣泛地用作用于顯示器的光源、用于車輛的光源、以及用于照明的光源，并且還能通過使用熒光材料和發(fā)射各種顏色的LED的組合，實現(xiàn)發(fā)射具有優(yōu)秀效率的白光的發(fā)光器件。

發(fā)明內(nèi)容

本實施例提供用于形成半導(dǎo)體層的方法和用于制造應(yīng)用新方法的發(fā)光器件的方法。

本實施例提供用于制造其中有源層的內(nèi)量子效率被顯著地提高的發(fā)光器件的方法。

根據(jù)本實施例的用于形成半導(dǎo)體層的方法包括制備生長襯底；在生長襯底上選擇性地形成突出圖案；在生長襯底和突出圖案上形成半導(dǎo)體層；以及選擇性地去除包括突出圖案的半導(dǎo)體層。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造發(fā)光器件的方法包括：制備生長襯底；在生長襯底上選擇性地形成突出圖案；在生長襯底和突出圖案上形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成有源層；在有源層上形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及執(zhí)行隔離蝕刻，該隔離蝕刻用于選擇性地去除包括突出圖案的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。

附圖說明

圖1和圖2是示出根據(jù)本實施例的用于形成半導(dǎo)體層的方法的圖。

圖3至圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造發(fā)光器件的方法的圖。

具體實施方式

在實施例的解釋中，當(dāng)描述每層(膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)部件形成在襯底、各層(膜)、焊盤或者圖案的“上側(cè)/頂部(上)”或者“下側(cè)/底部(下)”的事實時，諸如“上側(cè)/頂部(上)”或者“下側(cè)/底部(下)”的表達(dá)包括“直接地形成”或者“經(jīng)由其它層(間接地)形成”的意義。此外，結(jié)合每層的上側(cè)/頂部或者下側(cè)/底部，將會基于附圖解釋其標(biāo)準(zhǔn)。

在附圖中，為了便于解釋的方便和清晰，每層的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每個組件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。

下面，將會參考附圖，詳細(xì)地解釋根據(jù)本實施例的用于形成半導(dǎo)體層的方法和用于制造發(fā)光器件的方法。

圖1和圖2是示出根據(jù)本實施例的用于形成半導(dǎo)體層的方法的圖。

參考圖1和圖2，首先，突出圖案310選擇性地形成在生長襯底300上，然后，半導(dǎo)體層320形成在包括突出圖案310的生長襯底300上。

例如，從藍(lán)寶石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、LiAl₂O₃、InP、BN、Ga₂O₃、AlN或者Ge中選擇的至少任何一個可以被用于形成生長襯底300。另外，圖1示出其中生長襯底300的上側(cè)被平坦地形成的襯底，但是可以采用其中在其上側(cè)形成了圖案的PSS(經(jīng)構(gòu)圖的藍(lán)寶石襯底)。

突出圖案310局部地形成在生長襯底300上。生長襯底300被限定為芯片區(qū)域100和劃片區(qū)域200，并且芯片區(qū)域100上的半導(dǎo)體層320被劃分為芯片單位，使得它能夠被用作芯片。劃片區(qū)域200是通過用于劃分芯片區(qū)域100的隔離蝕刻來去除的區(qū)域。

在生長襯底300上形成用于形成突出圖案310的材料層之后，根據(jù)通過光刻工藝制造的掩模圖案，通過選擇性地去除材料層能夠形成突出圖案310。此外，根據(jù)通過光刻工藝在生長襯底300上制造的掩模圖案，通過選擇性地生長材料層能夠形成突出圖案310。

例如，通過氧化鋁層可以形成突出圖案310，并且半導(dǎo)體層320可以是GaN基半導(dǎo)體層。

如果在其中形成突出圖案310的生長襯底300上加速半導(dǎo)體層320的生長，那么在突出圖案310上生長的半導(dǎo)體層320和在生長襯底300上生長的半導(dǎo)體層320之間產(chǎn)生生長方向的失配。因此，產(chǎn)生諸如位錯321的缺陷。