[發(fā)明專利]用于形成半導體層的方法和用于制造發(fā)光器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010621008.1 | 申請日： | 2010-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN102157631A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 姜大成;韓尚勛 | 申請（專利權）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 形成 半導體 方法 制造 發(fā)光 器件 | ||
1.一種用于形成半導體層的方法，包括：
制備生長襯底；
在所述生長襯底上選擇性地形成突出圖案；
在所述生長襯底和所述突出圖案上形成半導體層；以及
選擇性地去除包括所述突出圖案的所述半導體層。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于形成半導體層的方法，其中所述生長襯底被限定為芯片區(qū)域和劃片區(qū)域，并且所述突出圖案被布置在所述劃片區(qū)域上。
3.根據(jù)權利要求2所述的用于形成半導體層的方法，其中所述突出圖案被布置在交叉區(qū)域上，所述交叉區(qū)域是在第一方向上延伸的所述劃片區(qū)域和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的所述劃片區(qū)域彼此相交的交叉區(qū)域。
4.一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括：
制備生長襯底；
在所述生長襯底上選擇性地形成突出圖案；
在所述生長襯底和所述突出圖案上形成第一導電類型半導體層；
在所述第一導電類型半導體層上形成有源層；
在所述有源層上形成第二導電類型半導體層；以及
執(zhí)行隔離蝕刻，該隔離蝕刻用于選擇性地去除包括突出圖案的所述第一導電類型半導體層、所述有源層、以及所述第二導電類型半導體層。
5.根據(jù)權利要求4所述的用于制造發(fā)光器件的方法，進一步包括：
在所述第二導電類型半導體層上形成導電支撐襯底，然后在執(zhí)行所述隔離蝕刻之前去除所述生長襯底。
6.根據(jù)權利要求5所述的用于制造發(fā)光器件的方法，進一步包括：
在所述第一導電類型半導體層、所述有源層、以及所述第二導電類型半導體層上形成鈍化層，并且在執(zhí)行所述隔離蝕刻之后在所述第一導電類型半導體層上形成電極層。
7.根據(jù)權利要求4所述的用于制造發(fā)光器件的方法，其中所述生長襯底被定義為芯片區(qū)域和劃片區(qū)域，并且所述突出圖案被布置在所述劃片區(qū)域上。
8.根據(jù)權利要求7所述的用于制造發(fā)光器件的方法，其中所述突出圖案被布置在交叉區(qū)域上，所述交叉區(qū)域是在第一方向上延伸的劃片區(qū)域和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的劃片區(qū)域彼此相交的交叉區(qū)域。
9.根據(jù)權利要求4所述的用于制造發(fā)光器件的方法，其中所述第一導電類型半導體層、所述有源層、以及所述第二導電類型半導體層分別包括GaN基半導體層。
10.根據(jù)權利要求4所述的用于制造發(fā)光器件的方法，其中所述突出圖案包括氧化鋁層。
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