[發明專利]一種固晶方法

無效

• 申請號: 201010618855.2
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102163654A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 東莞市萬豐納米材料有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 趙彥雄

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術，尤其涉及一種固晶方法。

背景技術

LED燈具有壽命長、省電力的特點，越來越廣泛地應用于照明領域。

現有技術中，LED芯片往往通過銀膠與基板連接，然后封膠；也有的通過Sn焊接，銀的用量太少，導熱性能不好；銀的用量太大，牢固度不好；很難兼顧導熱性和牢固度。

也有人采用Au/Sn共晶材料焊接芯片，如中國專利文獻CN101691910A于2010年4月7日公開的LED封裝模塊的制備方法，用于權利要求1或權利要求3所述的LED封裝模塊的制作，該方法包括固晶工序，其特征在于，該固晶工序包括以下步驟：（1）設置熱沉層，（2）放置LED芯片，（3）焊接，（4）冷卻，其中，第（1）步所述的設置熱沉層采用真空濺射的方式；第（2）步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于熱沉層上；第（3）步所述的焊接，是指將第（2）步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度為250°C-300°C；第（4）步所述的冷卻是指常溫風冷卻。

前述專利獻在結構上解決了現有技術的缺陷，但待焊組件經過250°C-300°C焊接爐后，其焊接效果并不理想，若取得較好的效果，起碼要280°C?-320°C甚至更高，但組件經過焊接爐是一個連續的過程，超過250°C后對LED芯片的熱損傷明顯，出現不良品或潛在不良品。

另一方面，現有技術的固晶方法，需要真空鍍膜和隧道爐等大型設備，過程比較復雜，成本也高。

發明內容

本發明的目的在于克服上述現有技術的不足之處而提供一種過程簡潔的固晶方法。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種固晶方法，其特征在于包括以下步驟：S10，提供帶銅柱的膠殼；S20，提供Au/Sn共晶片，將Au/Sn共晶片置于銅柱端部；S30，超聲熔化Au/Sn共晶片；S40，提供LED芯片，將LED芯片置于銅柱端部；其中，S30與S40之時間間隔為0.01s至0.25s之間。

固晶方法，其特征在于：所述S30步驟與S40步驟之時間間隔為0.05s至0.15s之間。

固晶方法，其特征在于：所述S30步驟與S40步驟之時間間隔為0.08s、0.1s、0.12s、0.14s。

固晶方法，其特征在于：所述S30步驟與S40步驟是在一個工位完成的，其工作空間充氮氣保護。

固晶方法，其特征在于：所述S30步驟與S40步驟的工作空間的溫度設定為4°C至12°C。

固晶方法，其特征在于：執行S30步驟及S40步驟時，所述銅柱的另一端抵接彈性冷卻棒，彈性冷確棒的連接冷交換裝置，以維持彈性冷確棒的溫度恒定為4°C至10°C。

固晶方法，其特征在于：所還包括S50固晶后的干燥升溫步驟。

固晶方法，其特征在于：通過具有多個工位的轉盤，實現連續固晶。

固晶方法，其特征在于：所述銅柱穿設于膠殼，LED芯片設置于銅柱上表面的端部，銅柱下端面從膠殼的下表面露出，LED芯片從膠殼的上表面露出，膠殼內夾設電極，電極也從膠殼的上表面露出。

固晶方法，其特征在于：所述銅柱具有臺階，所述臺階將銅柱界定為大端和小端，LED芯片設置與銅柱的小端；所述膠殼上面具有柱狀沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED芯片及電極從膠殼上表面露出是指LED芯片及電極從沉孔的底部露出；所述電極水平夾設于膠殼內。

本發明的固晶方法，利用超聲熔化Au/Sn共晶片，瞬時放置LED芯片，LED芯片承受高溫的時間很短暫，與現有技術相比，LED芯片熱損傷小，并且，本發明的固晶方法過程簡潔，固晶成本低。

附圖說明

圖1是本發明第一個實施例之固晶方法制備的封裝模塊的示意圖。

圖2是本發明第一個實施例的流程圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步詳述。