[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010618019.4 | 申請日: | 2010-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102148197A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金大益 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L21/8234 | 分類號: | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
在襯底的頂表面中形成隔離區(qū)以定義有源區(qū);
形成與所述有源區(qū)交叉的掩埋柵結(jié)構(gòu);
在所述有源區(qū)中形成源極區(qū)和漏極區(qū);
在所述襯底的頂表面上形成第一導(dǎo)電圖案,所述第一導(dǎo)電圖案具有暴露所述漏極區(qū)的第一導(dǎo)電層孔;
在所述第一導(dǎo)電層孔中形成第二導(dǎo)電圖案以接觸所述漏極區(qū),所述第二導(dǎo)電圖案的頂表面比所述第一導(dǎo)電圖案的頂表面更靠近所述襯底的底表面;以及
在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案上形成第三導(dǎo)電層和位線覆蓋層以及選擇性去除所述第三導(dǎo)電層和所述位線覆蓋層以形成第三導(dǎo)電圖案和位線覆蓋圖案,
其中依次堆疊在所述漏極區(qū)上的所述第二導(dǎo)電圖案、所述第三導(dǎo)電圖案和所述位線覆蓋圖案構(gòu)成第一位線結(jié)構(gòu),依次堆疊在所述隔離區(qū)上的所述第一導(dǎo)電圖案、所述第三導(dǎo)電圖案和所述位線覆蓋圖案構(gòu)成第二位線結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第三導(dǎo)電層共形地形成在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案上,使得所述第三導(dǎo)電層的形成在所述第二導(dǎo)電圖案上的部分的頂表面比所述第三導(dǎo)電層的形成在所述第一導(dǎo)電圖案上的部分的頂表面更靠近所述襯底的底表面,所述位線覆蓋層的在所述第二導(dǎo)電圖案上的部分比所述位線覆蓋層的在所述第一導(dǎo)電圖案上的部分厚。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第三導(dǎo)電層的形成在所述第二導(dǎo)電圖案上的部分在平行于所述襯底的底表面的平面中具有比所述第三導(dǎo)電層的形成在所述第一導(dǎo)電圖案上的部分更大的截面面積。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中形成所述第一導(dǎo)電圖案包括:
在所述襯底上形成第一導(dǎo)電層和犧牲層;
選擇性去除所述犧牲層以形成包括犧牲層孔的犧牲圖案;以及
使用所述犧牲圖案作為蝕刻掩模去除所述第一導(dǎo)電層的被所述犧牲層孔暴露的部分以形成所述第一導(dǎo)電圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一位線結(jié)構(gòu)和所述第二位線結(jié)構(gòu)一起形成單條位線。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
在襯底中形成用于定義有源區(qū)的隔離區(qū);
在所述襯底的第一方向上形成柵結(jié)構(gòu),所述柵結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)以預(yù)定角度交叉;
在所述有源區(qū)中形成源極區(qū)和漏極區(qū);
在所述襯底上形成第一導(dǎo)電層和第一掩模層;
使用光刻工藝和蝕刻工藝選擇性去除所述第一導(dǎo)電層和所述第一掩模層以形成第一掩模圖案和第一導(dǎo)電圖案,所述第一掩模圖案和所述第一導(dǎo)電圖案具有暴露所述漏極區(qū)的孔,但覆蓋所述源極區(qū)和所述隔離區(qū);
形成僅填充所述第一導(dǎo)電圖案的孔的一部分的第二導(dǎo)電圖案;
在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案上形成第三導(dǎo)電層和第二掩模層;
選擇性去除所述第二掩模層從而形成第二掩模圖案;以及
選擇性去除所述第三導(dǎo)電層以形成第三導(dǎo)電圖案,從而形成所述漏極區(qū)上的第一位線結(jié)構(gòu)以及形成所述隔離區(qū)上的第二位線結(jié)構(gòu),
其中所述第一位線結(jié)構(gòu)和所述第二位線結(jié)構(gòu)構(gòu)成在所述襯底的第二方向上延伸的位線。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中所述第一位線結(jié)構(gòu)包括所述第二導(dǎo)電圖案、所述第三導(dǎo)電圖案和所述第二掩模圖案,其中所述第二位線結(jié)構(gòu)包括所述第一導(dǎo)電圖案、所述第三導(dǎo)電圖案和所述第二掩模圖案,
其中所述第一位線結(jié)構(gòu)的所述第三導(dǎo)電圖案的頂表面比所述第二位線結(jié)構(gòu)的所述第三導(dǎo)電圖案的頂表面更靠近所述襯底的底表面,以及
其中所述第一位線結(jié)構(gòu)的所述第三導(dǎo)電圖案的寬度大于所述第二位線結(jié)構(gòu)的所述第三導(dǎo)電圖案的寬度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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