[發明專利]圖形化GaN襯底的制備方法有效
| 申請號： | 201010617750.5 | 申請日： | 2010-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN102142487A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | 張國義;孫永健;賈傳宇;陸羽;劉鵬;付星星;楊志堅;童玉珍;廉宗禺 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 譚一兵 |
| 地址： | 523500 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 gan 襯底 制備 方法 | ||
1.一種圖形化GaN襯底的制備方法，是在氮化鎵襯底上制備出微納米圖形，
作為生長襯底，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
①、提供一襯底，所述襯底是GaN單晶襯底，或是GaN/Al2O3、GaN/Si、GaN/SiC復合襯底，復合襯底的表面層是GaN面，清理后備用；
②、在GaN表面層，使用微納米圖形的掩膜、光刻技術、納米壓印技術或氧化鋁AAO圖形轉移技術生成圖形；
③、然后使用圖形刻蝕技術，采用干法刻蝕ICP技術或濕法刻蝕技術，獲得所需圖形結構。
2.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟②中使用微納米圖形的掩膜、光刻技術，是在GaN單晶襯底、GaN/Al2O3復合襯底或GaN/Si襯底上，采用光刻方法，制備出具有不同尺寸、形狀、周期參數的圖形。
3.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟②中掩模采用光刻技術、納米壓印技術、氧化鋁AAO掩模技術。
4.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟③中刻蝕方法采用干法刻蝕ICP技術或濕法刻蝕工藝，制備出穩定的亞微米量級的有利于出光的結構。
5.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟③中圖形結構是半圓形周期性結構或是具有不同晶面的周期性結構，圖形周期可以從10微米到5納米，圖形深度可以在5微米到1納米。
6.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟③中圖形結構是微透鏡、六角錐圖形結構的圖形化GaN襯底。
7.根據權利要求1所述的圖形化GaN襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟③中圖形結構周期在100nm到5000nm之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞市中鎵半導體科技有限公司，未經東莞市中鎵半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010617750.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種小型浮力式洗衣機
- 下一篇：發光器件及其制造方法
