[發明專利]具有狹縫閥隧道支撐件的處理室有效
| 申請號: | 201010617693.0 | 申請日: | 2010-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102117735B | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發明(設計)人: | S·安瓦爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 狹縫 隧道 支撐 處理 | ||
技術領域
本發明的實施例通常涉及電子器件制造。更具體地說,本發明的實施例涉 及用于防止在大面積基板處理室中在狹縫閥隧道附近變形的方法和裝置。
背景技術
基板處理室一般通過寬且相對較短的可密封開口與基板傳遞室連通,以方 便水平定向基板的插入和移除。眾所周知,使用腔室隔離閥(也稱為狹縫閥) 來密封這樣的開口。例如,可使狹縫閥的密封板(也稱為密封門)延伸以密封 開口,并且縮回以允許基板穿過所述開口。
狹縫閥經設計以在處理期間密封處理室,并且允許處理室維持例如真空環 境的處理條件。然而,在處理室內部和外部之間的壓差可能導致由狹縫閥密封 的開口變形。對于處理需要非常寬開口的非常大的基板(即,尺寸大于約1,000 mmx1,000mm)的處理室尤其如此。
因此,存在對于防備腔室之間的大壓差的改進狹縫閥的需要。
發明內容
本發明的實施例提供了用于在大面積基板處理室中防止狹縫閥隧道附近 變形的方法和裝置。
本發明的一個實施例提供:處理室,所述處理室包括室體,所述室體具有 經設置以允許基板通過的開口;狹縫閥,所述狹縫閥布置在所述室體外部以有 選擇地密封所述開口;以及支撐組件,所述支撐組件剛性地連接在所述室體與 所述狹縫閥的外殼之間以防止開口變形。
附圖說明
因此,可以詳細理解本發明的上述特征的方式,可以參考實施例獲得上文 簡要概述的本發明的更具體描述,其中一些實施例圖示于附圖中。然而,應注 意,附圖僅圖示本發明的典型實施例,且因此不應將附圖視為對本發明范圍的 限制,因為本發明可以允許其它同等有效的實施例。
圖1是可以經調適以受益于本發明的示例性基板處理系統的示意平面圖。
圖2是根據本發明的一個實施例的附接至狹縫閥的處理室的示意截面前視 圖。
圖3是圖2的處理室與狹縫閥的示意截面側視圖。
圖3A-3B是圖3的處理室的板支撐件的局部視圖。
圖4是根據本發明的另一實施例的處理室與狹縫閥的示意截面側視圖。
圖5是根據本發明的另一實施例的處理室與狹縫閥的示意截面側視圖。
為清楚起見,在適用的情況下已使用相同參考符號以指定在各圖之間所共 有的相同元件。
具體實施方式
本發明揭示了用于防止狹縫閥隧道變形的方法和裝置。本發明的實施例包 含狹縫閥隧道支撐組件130,所述狹縫閥隧道支撐組件130增加了室體的剛性, 尤其在長狹縫閥隧道附近增加了室體的剛性以防止室體變形。在一個實施例 中,狹縫閥隧道支撐組件包含連接至室體的板支撐件,所述室體連接至管支撐 件,所述管支撐件連接至布置在腔室外部的狹縫閥殼。室體形成具有狹縫閥殼、 管支撐件和板支撐件的剛性結構,因此獲得了預防由在室體內部和外部之間的 壓差導致的變形的增加的剛性。處理的精確性和處理的均勻性可隨著變形的減 少而改進。
圖1是可以經調適以受益于本發明的示例性基板處理系統10的示意平面 圖。基板處理系統10可以包括裝載鎖20、傳遞室30、傳遞機器人31和多個 基板處理室40和50。裝載鎖20允許將一個或多個基板引入基板處理系統10 的真空環境中,而無需將整個系統加壓到大氣壓。在處理室40和處理室50中 處理基板。基板處理室40和基板處理室50可以對基板執行諸如(例如)化學 氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) 的處理。在一個實施例中,處理系統10經設置以處理大面積基板,諸如用于 平板顯示器的基板。
一般地,基板處理室40和基板處理室50可以彼此隔離以使不相容處理氣 體的滲透降至最低,并且因為不同處理可能要求顯著不同的真空度。在傳遞室 30內部的傳遞機器人31根據需要在基板處理室40、基板處理室50和裝載鎖 20之間傳遞基板。一般地,基板處理系統10的各腔室可以借助于一個或多個 狹縫閥101與所有其他腔室隔離。如圖1所示,狹縫閥101經布置在傳遞室30 中并且在處理室40、處理室50的外部。
處理室40、處理室50中的至少一個與隧道支撐組件130接合。如下文進 一步描述,隧道支撐組件130增加處理室40、處理室50的室體的剛性,尤其 在長狹縫閥隧道附近增加了室體的剛性以防止室體變形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





